可以恢復大腦記憶的大腦植入裝置其基本原理是：該裝置植入大腦,能夠模擬海馬體的一部分,可使短暫記憶轉變成為持久記憶。它包含多帶帶的電極組,第一組電極能夠記錄記憶,之后將信號發送至計算機,計算機從數學角度變換成為持久記憶；第二組電極基于計算機指示信息,能夠模擬另一層海馬體組織,產生相同的記憶。 此外，有些實驗表明植入芯片甚至可以再造記憶。 美國麻省理工學院腦與認知科學系利根川進教授所在實驗室研究人員在《自然》雜志上發表文章，介紹了他們如何通過光遺傳學手段標記并激活與一個特定記憶相關的腦細胞，從而人為激活某個記憶過程。現在，該實驗室利用類似的方法，給小鼠的大腦添加從未真實發生過的記憶。　　他們首先將小鼠放在一個特定的環境A中，標記和環境A記憶有關的腦細胞，并使得這些細胞對光敏感。然后將小鼠放在一個完全不同的環境B中，并將激光通過光導纖維傳入大腦，激活這些標記的細胞，從而喚起環境A的記憶。正當小鼠身處環境B，回憶環境A時，他們給予輕微的電擊，于是小鼠錯誤地認為它是在環境A中受電擊。當把小鼠放回環境A時，它們會因為這個虛假記憶而對環境A產生恐懼。　　簡而言之，研究人員人為激活小鼠大腦中一個特定記憶，并同時給予新刺激，使兩者聯系在一起轉化成一個新記憶，但這個記憶的內容在現實中從未真正發生，是一個虛假的記憶。

該裝置的工作原理是：大腦植入器通過觀察大腦某一部分形成的記憶體，之后模擬海馬體功能進一步形成“記憶流”，起到復制記憶的作用。涉及調查大腦記憶工作方式的研究人員已成功完成老鼠和猴子的測試實驗，并進入測試人類志愿者的初期階段。患有癲癇癥等疾病的患者可能最先受益，最終該植入器將用于治療阿爾茨海默癥和其它形式的癡呆癥。

在DARPA官方網站上，一份名為“恢復主動記憶”（Restoring Active Memory，RAM）的文件稱，他們正在尋找新方法，分析并解碼神經元信號，以掌握在腦損傷后如何刺激神經元，才能促進記憶編碼的恢復。文件中指出，希望最終開發出一種植入式神經裝置的樣機，用在臨床治療中，幫助那些因神經創傷而記憶缺失的病人。

美國南加州大學（University of Southern California）、維克弗斯特大學（Wake Forest University）的科學家又宣稱，他們已設計出一種微芯片，能夠有助于建立受損大腦組織的記憶，并預計未來兩年內將植入志愿者大腦。據說這種芯片能幫助人們記錄大約10年的記憶！試想，如果這樣的芯片可以聯網，我們調出過去的回憶便會像看錄像一樣容易

總結

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