CVD-ALD前驅體材料
ALD前驅體源瓶特點是什么

ALD前驅體源瓶（起泡器）用于固態、液態及氣態超純物料類的封裝，涉及微正壓、常壓、中低壓的危險化學品，對源瓶的安全性和潔凈度提出嚴苛的要求。
ALD前驅體源瓶特點：
所有管件采用316L不銹鋼，內部經400目機械拋光和電化學拋光，Ra≦0.25微米；
閥門有美國世偉洛克球閥和隔膜閥、日本富士金隔膜閥和韓國TK隔膜閥供選擇；
密封墊片選用純銀鍍鎳墊片；
氦質譜檢測泄漏率≦1.0*10-10mbar L/s；
可盛裝化學品純度≧99.9995;
總殘余元素量≦50PPb；
墜落試驗，通過國家商檢部門檢測；
介質，TMG\TEG\TMA\TMIN\DEE等；
可選擇氣動閥門或者實現在注入端子、輸出端子以及接口之間的交叉清掃處理等；
可提供非標定做。
集成電路上游材料廠商 大力布局國內市場

  總投資10億美元的日本Ferrotec大尺寸半導體硅片項目，打破了國內大尺寸半導體硅片完全依靠進口的局面；與此同時，國際著名集成電路上有氣體材料供應商應特格(Entegris)新項目。國際集成電路上游材料廠商正在大力布局國內市場。

在集成電路半導體領域，上游材料的壟斷程度比下游高端集成電路產品的壟斷度還要高，國內集成電路高端材料全部依賴進口。據悉，Ferrotec項目，成功填補了國內大硅片生產領域的空白，打破了美國、日本對同類型硅片生產核心技術的進口壟斷，達產后將達到8英寸年產540萬片、12英寸年產288萬片硅片的生產能力。
　　對于應特格來說，計劃成為第一家在中國生產高純度沉積產品TEOS (硅酸四乙酯)的跨國企業，該合作合作有利于Entegris在中國擴大產能，同時也縮短了中國市場的沉積材料供應鏈。這些高純度沉積產品包括TEOS，這種材料對于半導體制造領域采用的3D NAND技術至關重要，該技術用于生產速度更快的先進儲存設備與內存，對于支持中國半導體產業的全面發展也具有重要意義。
　　高純度集成電路氣體產品，并且首期產品目前已經到達相關用戶手中。
　　針對國際半導體材料廠商近一段時間以來不斷進入國內布廠，業內專家指出，一方面是由于國內市場的崛起，崛起的速度也讓這些壟斷性廠商不得不重視中國市場；另一方面，需要清醒的是，技術壟斷在短期內仍然打不破，國內仍要發奮圖強，力求自有技術的實現。
ALD工藝二元、三元單層薄膜前驅體
目前在ALD沉積工藝中，為了能得到二元或三元薄膜，往往通過將不同前驅體交替通入反應腔體，比如沉積Hf-Al-O薄膜，則通過交替通入TEMAH-H2O-TMA-H2O-TEMAH…，并形成疊層薄膜?？蒲腥藛T通過不斷摸索，配制出了不同系列的新型前驅體，可用于沉積二元或三元單層薄膜,而非二元疊層。二元或三元單層薄膜的獲取，在催化應用領域，可通過提高或抑制效應，實現催化活性。在集成電路應用領域，可通過調節介電常數等，而實現預想的電學性能。
在原子層沉積（ALD）工藝中，選擇合適的前驅體對工藝控制、薄膜性能等方面至關重要。同時根據前驅體特性，如性狀、揮發性等，配以合適的源瓶則會對工藝有協同效應。除在前驅體研制方面充分發揮技術優勢外，還在ALD源瓶的設計和加工方面積累的豐富經驗。找ALD源瓶，優選“愛牟源科學”…
ALD前驅體工藝控制

前驅體材料是原子層沉積工藝的基礎，目前用于原子層沉積的前驅體包括無機類和金屬有機類二種，無機類在沉積速率、穩定性、膜質量等方面存在一些問題，應用會逐漸減少。金屬有機類特別是液態金屬有機物是開發的重點。前驅體生產過程的控制，對產品的質量穩定性提供了保證，產品研制過程控制如下（分別是制備、純化、分析）：

? 鹵代類

? 其它或最新類

? 環戊二烯（茂基）類

? 烷基類

? 胺基類

? 脒基類

? 烷氧基類

? 二酮酸類

? 鹵代類

? 其他或最新類

總結

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