CVD和ALD薄膜沉積技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域
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用于OLED、QD-OLED、甚至未來QLED的薄膜封裝，通過有機/無機疊層結(jié)構(gòu)的保護，水汽滲透率WVTR可降至10-5g/m2/day，保證OLED或者量子點發(fā)光材料的穩(wěn)定。另外量子點光學膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜，保護量子點不受水氧破壞。

微電子
在包括miniLED、microLED、MMIC（Monolithic microwave integrated circuit單片微波集成電路）在內(nèi)的微電子封裝領(lǐng)域，越來越多的研究表明，使用wafer level的薄膜封裝工藝，能夠大幅提升器件在嚴苛環(huán)境下的工作穩(wěn)定性，這對于微電子設(shè)備的微型化、集成化是非常重要的保證。

醫(yī)療器械
CVD、ALD等薄膜沉積技術(shù)，可以高效地根據(jù)設(shè)計需求改變培養(yǎng)皿、采血管、微流道器件、疫苗瓶等生物醫(yī)療用品的表面特性，達到促進細胞固定、抗生物吸附、適應(yīng)多種溶劑、防止生物污染等效果。

能源與環(huán)境

ALD – 平板熱原子層沉積系統(tǒng) Eagle系列 EA-101
Eagle系列（E系列）：E系列ALD產(chǎn)品（代表型號EA-101）是針對高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)中心等從事基礎(chǔ)研究之用戶所開發(fā)的標準化、全自動化、具有高穩(wěn)定性的加熱式原子層沉積設(shè)備。

該設(shè)備配備有多尺寸工件臺，可適用于12寸及以下晶圓或10寸及以下玻璃基板的薄膜沉積需要。態(tài)銳儀器開發(fā)的薄膜沉積工藝可實現(xiàn)樣品區(qū)域內(nèi)的薄膜不均勻性小于1%（針對標準氧化鋁薄膜），優(yōu)于大多數(shù)國內(nèi)外同類產(chǎn)品。
該設(shè)備主要用于氧化鋁Al2O3, 氧化鉿HfO2, 氧化鋯ZrO2, 氧化鉭Ta2O5, 氧化鑭La2O3等high k介質(zhì)層的沉積，亦可通過工藝調(diào)整將應(yīng)用擴展至生物醫(yī)學涂層、光學結(jié)構(gòu)層、刻蝕阻擋層、界面鈍化層、潤滑/耐磨層等領(lǐng)域。
態(tài)銳儀器提供標準Al2O3薄膜沉積recipe以供客戶驗收設(shè)備之用。如客戶有其他薄膜材料的沉積工藝需求，可通過購買相應(yīng)的標準recipe或工藝開發(fā)服務(wù)獲得技術(shù)支持。

PEALD – 卷對卷式原子層沉積設(shè)備 Eagle系列 EA-101-R2R/PE
卷對卷式原子層沉積設(shè)備 Roll to Roll ALD，Eagle系列（E系列）：E系列R2R PEALD產(chǎn)品（代表型號EA-101-R2R/PE）是針對高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)中心等從事基礎(chǔ)研究之用戶所開發(fā)的標準化、全自動化、具有較高穩(wěn)定性的等離子體增強原子層沉積設(shè)備。

該設(shè)備配備有收放卷裝置及沉積區(qū)內(nèi)的三對輥（更多對數(shù)可選），走膜速度最高可達到0.5m/s，適用于幅寬200mm的薄膜卷材的連續(xù)沉積需要。沉積過程中工藝溫度低于200℃，且具有良好的薄膜沉積均勻性，在有效沉積范圍內(nèi)可控制在2%以內(nèi)。通過正反向走膜，可在不破壞真空環(huán)境的條件下，實現(xiàn)不限次數(shù)的循環(huán)沉積。
該設(shè)備主要用于快速沉積PET、PI、銅箔、鋁箔等柔性卷材的水氧阻隔層，具有規(guī)模化生產(chǎn)應(yīng)用的潛力。
態(tài)銳儀器提供標準Al2O3薄膜沉積recipe以供客戶驗收設(shè)備之用。如客戶有其他薄膜材料的沉積工藝需求，可通過購買相應(yīng)的標準recipe或工藝開發(fā)服務(wù)獲得技術(shù)支持。
卷對卷式原子層沉積系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖 （Roll to Roll ALD Scheme）

Eagle系列 EA-101-R2R/PE設(shè)備參數(shù)，如下表：

PEALD – 等離子增強原子層沉積系統(tǒng) Eagle系列 EA-101/PE
等離子增強原子層沉積系統(tǒng)（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）Eagle系列（E系列）：E系列PEALD產(chǎn)品（代表型號EA-101/PE）是針對高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)中心等從事基礎(chǔ)研究之用戶所開發(fā)的標準化、全自動化、具有高穩(wěn)定性的全新一代等離子體增強原子層沉積設(shè)備。

該設(shè)備配備有多尺寸工件臺，可適用于8寸以下晶圓或6.5寸以下玻璃基板的薄膜沉積需要。通過等離子增強工藝，可有效降低普通ALD的工藝溫度，并大幅提升薄膜沉積速率。
態(tài)銳儀器開發(fā)的薄膜沉積工藝可實現(xiàn)樣品區(qū)域內(nèi)的薄膜不均勻性小于2%（針對標準氧化鋁薄膜），優(yōu)于大多數(shù)國內(nèi)外同類產(chǎn)品。該設(shè)備主要用于氧化鋁Al2O3、氧化鉿HfO2、氧化鋯ZrO2等阻隔層、界面鈍化層的沉積，亦可通過工藝調(diào)整將應(yīng)用擴展至生物醫(yī)學涂層、光學結(jié)構(gòu)層、刻蝕阻擋層、潤滑/耐磨層等領(lǐng)域。
態(tài)銳儀器提供標準Al2O3薄膜沉積recipe以供客戶驗收設(shè)備之用。如客戶有其他薄膜材料的沉積工藝需求，可通過購買相應(yīng)的標準recipe或工藝開發(fā)服務(wù)獲得技術(shù)支持。

真空等離子體表面處理設(shè)備 Eagle系列 EC-101-cleaner
真空等離子體表面處理設(shè)備 Vacuum Plasma Cleaner

Eagle系列（E系列）：E系列真空等離子體表面處理產(chǎn)品（代表型號EC-101-cleaner）是針對高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)中心等從事基礎(chǔ)研究之用戶所開發(fā)的標準化、全自動化、具有較高穩(wěn)定性的表面處理設(shè)備。
該設(shè)備配備有直徑150mm的工件臺，可適用于6寸及以下晶圓或其他基板的表面清潔和改性。
該設(shè)備的標準工藝為使用氧等離子體對基板表面的有機物殘留進行清潔，亦可通過其他等離子體工藝對基板表面的潤濕性進行調(diào)整。
Eagle系列 EC-101-cleaner 參數(shù)介紹

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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