固態(tài)硬盤與QLC閃存
致鈦系列消費級固態(tài)硬盤
以極“致”產(chǎn)品定義閃存科技新“鈦”度
長江存儲致鈦系列兩款消費級固態(tài)硬盤(SSD)新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具性能和品質。

“致鈦產(chǎn)品的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在對傳統(tǒng)閃存技術的創(chuàng)新，釋放3D NAND閃存潛能。基于長江存儲Xtacking?創(chuàng)新架構打造的致鈦系列SSD，兼具強勁的性能和可靠的品質，從而為消費者帶來優(yōu)質的產(chǎn)品體驗。”長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊提到：“長江存儲未來將推出更多致鈦·ZHITAI系列產(chǎn)品，力求以追求極‘致’的產(chǎn)品設計理念，定義閃存科技新‘鈦’度，憑借品質與速度，幫助消費者用記憶承載夢想。”

SC001 Active和PC005 Active兩款產(chǎn)品，可分別滿足不同場景的應用需求，產(chǎn)品主要特點為：
PC005 Active
PC005 Active采用PCIe Gen3x4接口，NVMe協(xié)議，搭配512MB至1GB DRAM緩存，致力于滿足高階用戶的需求，能夠承載電競、設計類高性能應用，使得設計源文件的打開速度和游戲加載的速度明顯提升。
細節(jié)特征如下：
? 性能體驗：采用Xtacking?架構，長江存儲高品質原廠顆粒和智能SLC緩存技術，加速固態(tài)硬盤讀寫性能，連續(xù)讀取速度最高可達3500MB/s；
? 堅固耐用：PC005 Active內部無機械組件，抗震性能和數(shù)據(jù)安全性更高；
? 智能管理功耗：全速讀寫狀態(tài)下，依然通過主動智能功耗管理技術，實現(xiàn)動態(tài)調整功耗，并且支持超低功耗模式，從而帶來更好的高性能持續(xù)性和使用體驗；
? 多種容量自由選擇：PC005 Active擁有三種不同的存儲容量——256GB、512GB和1TB，尺寸規(guī)格均為M.2 2280；
? 使用壽命長，原廠質保：1TB版本擁有高達640TBW（總寫入字節(jié)），使用壽命格外持久，PC005 Active提供5年的原廠質保。

(PC005 Active)
SC001 Active
SC001 Active采用SATA 3.0接口，兼具速度與超長壽命的固態(tài)硬盤，讓所有消費者都能享受速度美學。SC001 Active可以大幅提升系統(tǒng)的開機、程序加載、文件保存、文件傳輸?shù)人俣?#xff0c;適用于日常存儲使用，尤其適合辦公電腦、筆記本電腦等場景使用。
細節(jié)特征如下：
? 性能體驗：采用Xtacking?架構，長江存儲高品質原廠顆粒和智能SLC緩存技術，擁有卓越的高速性能，其中SC001 Active的讀取速度可達520MB/s，寫入速度達510MB/s；
? 堅固耐用：SC001 Active內部無機械組件，抗震性能和數(shù)據(jù)安全性更高；并且支持DEVSLP低功耗模式，大大提高穩(wěn)定性，并增加續(xù)航時長；
? 多種容量規(guī)格自由選擇：SC001 Active擁有三種不同的存儲容量——256GB、512GB和1TB，各提供2.5寸和M.2 2280兩種尺寸規(guī)格供選擇；
? 使用壽命長，原廠質保：1TB版本擁有高達680 TBW（總寫入字節(jié)），使用壽命格外持久，SC001 Active提供3年的原廠質保。

(SC001 Active)
Xtacking?架構，可以在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，使NAND擁有更高的I/O接口速度，實現(xiàn)更高的存儲密度，以及更小的芯片面積。從企業(yè)級市場擴展到消費領域，滿足消費市場上持續(xù)增長的存儲需求。致鈦SC001 Active和致鈦PC005 Active，均搭載創(chuàng)新Xtacking?架構，3D NAND高品質原廠顆粒。
128層QLC閃存，單顆容量達1.33Tb
長江存儲128層QLC 3D NAND 閃存，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量①。128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。

長江存儲X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking? 2.0時代的到來，長江存儲有決心，有實力，有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢，達到互利共贏。”
Xtacking? 2.0 進一步釋放閃存潛能②
得益于Xtacking? 架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)。
在長江存儲128層系列產(chǎn)品中，Xtacking?已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進的制程，同時在芯片面積沒有增加的前提下，Xtacking?2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。未來，長江存儲將與合作伙伴攜手，構建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。
長江存儲通過對技術創(chuàng)新的持續(xù)投入，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品，并確立了在存儲行業(yè)的技術創(chuàng)新領導力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070證明了Xtacking?架構的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。龔翊（Grace）強調：“我們相信，長江存儲128層系列產(chǎn)品將會為合作伙伴帶來更大的價值，具有廣闊的市場應用前景。其中，128層QLC 版本將率先應用于消費級SSD，并逐步進入企業(yè)級服務器、數(shù)據(jù)中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數(shù)據(jù)存儲需求。”
X2-6070充分發(fā)揮QLC技術特點
QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術形態(tài)，具有大容量、高密度等特點，適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質。 隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來市場增量將非常可觀。”Gregory同時表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領域， QLC SSD將為服務器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲，使其更適用于AI計算，機器學習，實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及。”
注：
①對比范圍：截至2020年4月13日，全球已公開發(fā)布的3D NAND Flash存儲芯片。
②長江存儲、YMTC，YM圖形徽標和Xtacking是長江存儲科技有限責任公司或其分子公司在中國和/或其他國家/地區(qū)的商標。

參考鏈接：http://www.ymtc.com/cn/index.php?s=/cms/list/84.html

總結

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