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STM32的FLASH擦寫次數(shù)有限(大概為1萬次)，所以為了延長FLASH的使用時(shí)間，我們平時(shí)調(diào)試時(shí)可以選擇在SRAM中進(jìn)行硬件調(diào)試。除此之外，SRAM 存儲(chǔ)器的寫入速度比在內(nèi)部 FLASH 中要快得多，所以下載程序到SRAM中的速度較快。

所以我們很有必要建立兩個(gè)版本的工程配置，在SRAM中調(diào)試程序完畢后，再把代碼下載到FLASH中即可。這篇筆記主要分享在keil5中配置FLASH調(diào)試與SRAM調(diào)試的詳細(xì)配置方法及如何切換兩種配置。

本篇筆記以STM32F103ZET6為例。其FLASH大小為512KB，SRAM的大小為64KB。FLASH基地址為0x08000000，SRAM基地址為0x20000000。在STM32F10XXX里，可以通過BOOT1、BOOT0引腳來選擇三種不同的模式：

我們要在FLASH中進(jìn)行硬件仿真調(diào)試還是在RAM中進(jìn)行硬件仿真調(diào)試需要對這兩個(gè)boot腳進(jìn)行對應(yīng)的設(shè)置以及程序下載的地址進(jìn)行設(shè)置。

在FLASH中進(jìn)行硬件仿真調(diào)試

1、硬件設(shè)置

BOOT0配置為0，BOOT1隨意設(shè)置。

2、keil設(shè)置

本文以keil5為例。步驟如下：

(1)點(diǎn)擊如下按鈕，修改target的名稱：

target的名稱是可以隨意更改的，這里我們改為FLASH。

(2)點(diǎn)擊Project->Options for Target Flash...(也可以點(diǎn)擊魔術(shù)棒那個(gè)圖標(biāo))進(jìn)行配置。首先對Target選項(xiàng)卡設(shè)置：

設(shè)置IROM1的起始地址為0x8000000，大小為0x80000，即FLASH的基地址與大小。設(shè)置IRAM1為0x20000000，大小為0x10000，即SRAM的基地址與大小。

(3)Debug選項(xiàng)設(shè)置：

調(diào)試器根據(jù)實(shí)際進(jìn)行選擇，我們這里使用的調(diào)試器是ULINK2。其它的按默認(rèn)設(shè)置即可，然后點(diǎn)擊Settings:

(4)編譯，然后按Ctrl+F5進(jìn)入調(diào)試界面：

然后點(diǎn)擊全速運(yùn)行：

在Disassembly窗口中可看到地址為0x0800xxxx，說明代碼燒進(jìn)了FLASH中，這時(shí)候就可以像使用其他C語言IDE調(diào)試C語言程序一樣打斷點(diǎn)、單步運(yùn)行我們的STM32程序啦。

在SRAM中進(jìn)行硬件仿真調(diào)試

在SRAM的仿真調(diào)試配置比FLASH中的配置要麻煩一點(diǎn)~

1、硬件設(shè)置

BOOT0配置為1，BOOT1配置為1。

2、keil設(shè)置

(1)新建一個(gè)target，并修改名稱為SRAM：

(2)切換至SRAM Target：

(3)點(diǎn)擊Project->Options for Target SRAM ...(也可以點(diǎn)擊魔術(shù)棒那個(gè)圖標(biāo))Target選項(xiàng)卡設(shè)置：

設(shè)置IROM1的起始地址為0x2000000，大小為0x8000(32KB)；設(shè)置IRAM1的起始地址為0x2008000，大小為0x8000(32KB)。即把64KB的SRAM分為32KB的FLASH(當(dāng)然這是SRAM虛擬出來的FLASH，掉電易失)和32KB的RAM。

(4)C/C++選項(xiàng)設(shè)置：

為什么在RAM中調(diào)試要設(shè)置這個(gè)宏而在FLASH中調(diào)試卻不需要？這是因?yàn)槲覀兊闹袛嘞蛄勘砟J(rèn)位于FLASH中，而此時(shí)我們要在RAM中進(jìn)行調(diào)試，所以需要把中斷向量表拷貝到RAM中，相關(guān)代碼在system_stm32f10x.c的SystemInit函數(shù)中：

其實(shí)system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相關(guān)的代碼：

把這行代碼打開即可把中斷向量表拷貝到RAM中。但是這里選擇在C/C++選項(xiàng)選項(xiàng)里添加宏，因?yàn)檫@樣可以保證SRAM版本與FLASH版本代碼的一致性。

(5)Debug設(shè)置：

與在FLASH中調(diào)試不同的是，這里需要加入.ini文件：

這個(gè).ini可以自己創(chuàng)建(也可以在芯片支持包里找到)，這里我們建為Dbg_RAM.ini。文件里的內(nèi)容如下：

其中這里的第11行是需要根據(jù)實(shí)際進(jìn)行修改的，需要把工程編譯得出的.axf格式文件的路徑及其文件名填到這里。這里因?yàn)槲覀冞@里的的.ini文件在.axf的上一級目錄：

所以此處以./Objects來表示。如果覺得麻煩的話，可以把.axf文件與.ini放在同一個(gè)目錄下。

其它的按默認(rèn)設(shè)置即可，然后點(diǎn)擊Settings，并進(jìn)行如下設(shè)置:

圖中我們需要勾選Verify Code Download及Download to FLASH選項(xiàng)，也就是說點(diǎn)擊調(diào)試按鈕后，本工程的程序會(huì)被下載到內(nèi)部 SRAM 中，只有勾選了這兩個(gè)選項(xiàng)才能正常仿真。(至于為什么 FLASH 版本的程序不需要勾選，不太清楚) 。

Download Function中的擦除選項(xiàng)配置為Do not Erase。這是因?yàn)閿?shù)據(jù)寫入到內(nèi)部 SRAM 中不需要像 FLASH 那樣先擦除后寫入。Programming Algorithm 的地址要與我們Target選項(xiàng)卡里設(shè)置的地址一致，否則可能會(huì)出現(xiàn)如下錯(cuò)誤：

(6)編譯，然后按Ctrl+F5進(jìn)入調(diào)試界面，然后點(diǎn)擊全速運(yùn)行：

在Disassembly窗口中可看到地址為0x2000xxxx，說明代碼燒進(jìn)了SRAM中，這時(shí)候就可以像使用其他C語言IDE調(diào)試C語言程序一樣打斷點(diǎn)、單步運(yùn)行我們的STM32程序啦。

以上就是在FLASH中調(diào)試與在SRAM中調(diào)試的設(shè)置方法，調(diào)試代碼時(shí)可以選擇SRAM版本的配置，調(diào)試完成再切換回FLASH版本的配置，把程序下載到FLASH中。切換方法：

在RAM中調(diào)試的優(yōu)缺點(diǎn)

以下來自《【野火】零死角玩轉(zhuǎn)STM32—F429挑戰(zhàn)者V2.pdf》。

優(yōu)點(diǎn)：

1、載程序非常快。RAM 存儲(chǔ)器的寫入速度比在內(nèi)部 FLASH 中要快得多，且沒有擦除過程，因此在 RAM 上調(diào)試程序時(shí)程序幾乎是秒下的，對于需要頻繁改動(dòng)代碼的調(diào)試過程，能節(jié)約很多時(shí)間，省去了煩人的擦除與寫入 FLASH 過程。另外，STM32 的內(nèi)部 FLASH 可擦除次數(shù)為 1 萬次，雖然一般的調(diào)試過程都不會(huì)擦除這么多次導(dǎo)致 FLASH 失效，但這確實(shí)也是一個(gè)考慮使用 RAM 的因素。

2、不改寫內(nèi)部 FLASH 的原有程序。

3、對于內(nèi)部 FLASH 被鎖定的芯片，可以把解鎖程序下載到 RAM 上，進(jìn)行解鎖。

缺點(diǎn)：

1、存儲(chǔ)在 RAM 上的程序掉電后會(huì)丟失，不能像 FLASH 那樣保存。

2、SRAM空間較小。

以上就是本次分享的關(guān)于RAM調(diào)試與FLASH調(diào)試的筆記，更多的相關(guān)原理、細(xì)節(jié)可查閱《【野火】零死角玩轉(zhuǎn)STM32—F429挑戰(zhàn)者V2.pdf》。

可在本公眾號聊天界面回復(fù)關(guān)鍵字：調(diào)試，進(jìn)行獲取本筆記對應(yīng)的keil工程及《【野火】零死角玩轉(zhuǎn)STM32—F429挑戰(zhàn)者V2.pdf》。本篇筆記如有錯(cuò)誤歡迎指出！謝謝

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的stm32 内部sram大小_在SRAM、FLASH中调试代码的配置方法（附详细步骤）的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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