電腦內(nèi)存ddr3和ddr4的區(qū)別

DDR 3，4，5在實際使用中主要的區(qū)別是他們的頻率，我們知道，不同代的內(nèi)存，它們的區(qū)別主要是頻率的提高，也就是他們讀取數(shù)據(jù)的速度，內(nèi)存讀取速度的匹配主要是與CPU相連接，CPU要求較高的速度，那么，內(nèi)存必須也提高它的讀取速度，才能夠達到一個比較良好的效果萊垍頭條

筆記本電腦ddr3和ddr4的區(qū)別

四代內(nèi)存條和三代內(nèi)存條的區(qū)別：

1、外觀上最直接的是防呆口的位置不一樣。還有就是金手指數(shù)不一樣，DDR4有284個，而DDR3是240個。

2、兩種內(nèi)存不能混用，插槽不一樣。

3、主板好壞主要看用料和做工，不懂的話直接看主板上的元件電容、電感，這些元件越多一般就越好。

隨機存取存儲器（英語：RandomAccessMemory，縮寫：RAM），也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外），而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失。RAM在計算機和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時存儲程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。

ddr3和ddr4筆記本內(nèi)存條區(qū)別

跟內(nèi)存類似，越往后的性能越強，頻率越來越高，功率越來越低，處理圖像數(shù)據(jù)的能力越來越強。萊垍頭條

DDR5內(nèi)存目前業(yè)界并不存在，內(nèi)存處在DDR3完全普及的時代。而現(xiàn)在為大家津津樂道的DDR5，其實就是GDDR5顯存。從顯卡問世以來，顯存就在不斷地發(fā)展。單是GDDR時代，就有GDDR1、GDDR2、GDDR3和GDDR4。就在最近，全新的GDDR5顯存全面上市，它相比老一代的顯存有速度更快、功耗更低、帶寬更高等優(yōu)勢。一時間，許多玩家和用戶都將焦點集中在了它上面。各種說法也隨之而來，有人錯誤的說:GDDR3和GDDR5之間，就沒什么區(qū)別，就是頻率高點。也有人錯誤的說:GDDR5顯存的顯卡多數(shù)都搭配128bit顯存位寬，性能還不如GDDR3，256bit的。條萊垍頭

電腦ddr3與ddr4的區(qū)別

內(nèi)存ddr3和ddr4的實際使用差距不大，主要是在內(nèi)存參數(shù)和處理器來體現(xiàn)。萊垍頭條

一：內(nèi)存參數(shù)垍頭條萊

DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。默認頻率DDR4 2133 CL15。DDR4 2133頻率下帶寬測試：48.4GB/s萊垍頭條

從宇瞻32GB DDR4-2133內(nèi)存來看，僅默認頻率帶寬就高達48.4GB/s，可見DDR4對系統(tǒng)性能提升重要性。頭條萊垍

DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達到目前產(chǎn)品的8倍之多。萊垍頭條

二：處理器萊垍頭條

每次內(nèi)存升級換代時，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計，DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。萊垍頭條

Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當高，并且不會同時支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門檻。萊垍頭條

DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。頭條萊垍

DDR是21世紀初主流內(nèi)存規(guī)范，各大芯片組廠商的主流產(chǎn)品全部是支持它的。DDR全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR的標稱和SDRAM一樣采用頻率。截至2017年，DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些內(nèi)存生產(chǎn)廠商為了迎合發(fā)燒友的需求，還推出了更高頻率的DDR內(nèi)存。萊垍頭條

其最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，他在時鐘信號的上升沿與下降沿均可進行數(shù)據(jù)處理，使數(shù)據(jù)傳輸率達到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于尋址與控制信號則與SDRAM相同，僅在時鐘上升沿傳送。萊垍頭條

內(nèi)存ddr3與ddr4的區(qū)別

一、頻率不同萊垍頭條

1、D3：又稱DDR3，早期的800、1066到中期的1333、1600再到后期的1866、2133、2400。垍頭條萊

2、D4：又稱DDR4，其頻率是2133起跳，常見的頻率是2133、2400、2666、2800、3000、3200這幾個，主流消費級的頻率集中在2133和2400這兩個頻率。萊垍頭條

二、電壓不同垍頭條萊

1、D3：工作電壓是1.5V。萊垍頭條

2、D4：工作電壓是1.2V。垍頭條萊

三、金手指不同萊垍頭條

1、D3：是一條平直的線。頭條萊垍

2、D4：金手指水平方向上進行了更改，不再是一條平直的線，而是略帶彎曲。中間略長、兩頭略短。萊垍頭條

內(nèi)存是ddr3還是ddr4

完全不一樣的，1代2代3代4代，都不一樣。萊垍頭條

DDR4的外觀有了很大的變化。頭條萊垍

1、DIMM內(nèi)存條的長度維持133.35±0.15毫米不變，但是高度從30.35±0.15毫米略微增加到31.25±0.15毫米。SO-DIMM筆記本內(nèi)存條的長度從67.6毫米增至68.6毫米，高度變化同上。萊垍頭條

2、內(nèi)存條厚度從1.0毫米增至1.2毫米，主要是因為PCB層數(shù)增多了。萊垍頭條

3、針腳數(shù)量，DIMM的從240針增至284針，同時針腳間距從1.0毫米縮短到0.85毫米，總長度基本不變。SO-DIMM的從204針增至256針，同時針腳間距從0.6毫米縮短到0.5毫米，因為針腳增加更多、間距縮小卻更少，總長度有所增加，故而內(nèi)存條也變長了1毫米。頭條萊垍

4、金手指底部之前一直都是平直的，DDR4卻是彎曲的，其中兩頭較短、中間較長，這樣主要是為了更方便插拔。金手指缺口的位置也和DDR3的不一樣了，以防止插錯。萊垍頭條

5、內(nèi)存條上的數(shù)據(jù)還從也從1個大幅增加到了9個。萊垍頭條

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的电脑内存ddr(电脑内存ddr3和ddr4的区别)的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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