計算機組成原理實驗三報告

實 驗 報 告 三課 程 計算機組成原理 姓 名 學(xué) 號實驗項目 存儲器實驗 同組姓名 學(xué) 號指導(dǎo)教師 專業(yè)班級 計算機科學(xué)與技術(shù) 09 實驗時間 2011-6-6實驗三 存儲器實驗一、實驗?zāi)康?．掌握存儲器的功能和構(gòu)成。2．了解靜態(tài)隨機存儲器 SRAM(6116 芯片)的工作特性及使用方法。3．掌握半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器 SRAM 讀寫數(shù)據(jù)過程。 二、實驗原理實驗所用的半導(dǎo)體靜態(tài)存儲器電路原理如圖 3-1 所示圖 3-1 存儲器實驗原理圖三、實驗設(shè)備1．Dais-CMH 計算機組成原理實驗系統(tǒng)一套2．若干導(dǎo)線和排線四、實驗內(nèi)容1. 總線數(shù)據(jù)寫入存儲器給 00HH 地址單元中寫入數(shù)據(jù) 11H，具體操作步驟如下：2. 讀存儲器的數(shù)據(jù)到總線上讀出存儲器的 00H 地址單元的內(nèi)容 11H，具體操作步驟如下：3. 存儲器的讀寫操作(1)給存儲器的 01H、02H、03H、04H 和 05H 地址單元中分別寫入數(shù)據(jù)11H、12H、13H、14H、15H ，然后依次讀出存儲器的第 01H、02H、03H、04H 和 05H號單元中的內(nèi)容，觀察上述各單元中的內(nèi)容是否與前面寫入的一致。表 3.1寫入控制信號 讀出控制信號單元地址 單元內(nèi)容(寫入) CE WE單元內(nèi)容(讀出) CE WE01H 11H 1 1 11H 1 002H 12H 1 1 12H 1 003H 13H 1 1 13H 1 004H 14H 1 1 14H 1 005H 15H 1 1 15H 1 0(2)將存儲器的 11H 和 12H 地址單元中分別寫入數(shù)據(jù) 21H 和 22H，并實現(xiàn) ((00H))→數(shù)據(jù)` 總線，寫出操作步驟并驗證之。五、實驗結(jié)果分析與體會1.寫入的內(nèi)容與讀出的內(nèi)容是一致的，說明實驗的操作是正確的。2 思考題：(1) 存儲器實驗?zāi)軐崿F(xiàn)存儲器 00 和 04 地址兩個單元的內(nèi)容交換。3.在連接電路上比前兩次實驗熟悉多了，但在總線數(shù)據(jù)寫入存儲器中，數(shù)據(jù)進入存儲器中與開始打的數(shù)據(jù)不一樣，并且讀出的數(shù)據(jù)與先前打進的數(shù)據(jù)不一樣，實驗裝置連接不穩(wěn)定，經(jīng)常容易發(fā)生改變。4.在本次實驗中，我們主要了解了存儲器的功能與結(jié)構(gòu)。特別是練習(xí)了對數(shù)據(jù)的寫入和讀出操作。檢查寫入與讀出的數(shù)據(jù)是否一樣可以檢查出實驗操作是否正確。

創(chuàng)作挑戰(zhàn)賽新人創(chuàng)作獎勵來咯，堅持創(chuàng)作打卡瓜分現(xiàn)金大獎

總結(jié)

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