主流微型計算機(jī)硬件系統(tǒng)維護(hù)

通過其芯片技術(shù)的革新來縮短存取時間和提高內(nèi)存訪問周期效率的。FP打蘭快頁模式與EDO打蘭占據(jù)原PC內(nèi)存條的大部分市場，但隨著電腦進(jìn)入奔騰時代,SDRAM已作為內(nèi)存條最新技術(shù)要求取代了前兩者在新型號電腦上的位置。SDRAM即同步打蘭也就是同CPU定時同步的打蘭技術(shù)，它可以高達(dá)100MHz的速度傳遞數(shù)據(jù)，是標(biāo)準(zhǔn)打蘭的4倍，其性能也比EDO內(nèi)存條提高30％。隨著電腦科技的發(fā)展，SDRAM將成為內(nèi)存條上的主要產(chǎn)品，以適應(yīng)如多媒體、服務(wù)器、數(shù)字、ATM轉(zhuǎn)換器與其他需要高帶寬與快速傳輸率的網(wǎng)絡(luò)化、通信軟件的需求。

在內(nèi)存條模塊生產(chǎn)技術(shù)上，新型的168線DIMM內(nèi)存條模塊成為新時期內(nèi)存條的主流。DIMM在線模塊，與SIMM在線模塊有很大區(qū)別，其中168線64 位DIMM模塊在長度增加不多的情況下將模塊的總線寬度增加一倍。

怎樣對內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行微調(diào)

目前絕大多數(shù)主板的BIOS都提供了對內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行微調(diào)的功能，但廠商不同、具體主板采用的芯片組不同，或以調(diào)節(jié)的項目也不相同。由于內(nèi)存運(yùn)行參數(shù)微調(diào)涉及到非常專業(yè)的知識，這里只講該調(diào)節(jié)一些什么項目，以及怎樣調(diào)節(jié)。

CL值是調(diào)節(jié)最頻繁的內(nèi)存參數(shù)。CL是CAS Latency(CAS 延遲)的簡寫，該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，CL值越小表明內(nèi)存的性能越高。按PC133規(guī)范的技術(shù)文檔說明，只有運(yùn)行頻率為133MHz、CL=2的內(nèi)存，才真正符合PC133標(biāo)準(zhǔn)。目前市場上的很多所謂的PC133內(nèi)存都不能做到CL=2。DDR SDRAM 內(nèi)存的CL 目前大多為2.5或2。

大多數(shù)主板BIOS都可以設(shè)置CL參數(shù)的值(在主板BIOS中該參數(shù)有的表示為CAS Latency，有的為SDRAM CAS Latency Time，也有的表示為SDRAM Cycle Length的)，這個參數(shù)理論上可以隨便設(shè)置，因此可以盡量嘗試減小該值。但此舉

如果導(dǎo)致系統(tǒng)無法啟動或運(yùn)行中死機(jī)，就應(yīng)該及時還原該參數(shù)。部分主板提供了更為詳細(xì)的三個內(nèi)存參數(shù)SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay和SDRAM CAS Latency Time選擇。這幾個數(shù)值都可以慢慢嘗試將其減小。

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總結(jié)

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