現在SSD雖然可以通過堆疊Die層數來增大單顆粒容量，但隨著層數越多，所需要硅穿孔數目越多，制造難度直線上升，不僅良品率無法保證、生產成本也高，一些擁有深厚技術存儲廠商早就開始探索新一代非易失性存儲器了。

除了Intel那個未知原理3D XPoint閃存以外，還有大熱ReRAM，這是一種以電阻值來記錄數據非易失性存儲器，具有單位面積容量大、讀寫速度快特性，而對此研究了好些年Mobiveil聯合Crossbar將會推出基于ReRAM技術SSD，為存儲市場增添新活力。

ReRAM其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關系全新元件，也是一種具有記憶功能非線性電阻，不僅可以記憶流經自身電荷數量，也可以通過控制激勵源電流或者磁通來改變自身阻值大小，并且這種阻值變化可以在斷電下繼續保存相當長一段時間。

單一憶阻器其實就是一個長條形器件，擁有三層結構，包含有上下電極和中間開關層，通過電極施加不同電壓值就能改變中間特殊結構電阻值，從而達到存儲數據功能（電阻值代表0/1或者是更多位數據）。其穩定性非常好，具備了普通閃存顆粒不具備超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫周期后，在85℃下數據可以保持10年不消失。

而且這種長條形結構可以很容易地組建成大規模陣列，簡單結構使得存儲容量、密度遠超現有閃存技術，輕松實現TB存儲顆粒。

另外由于其結構簡單，它主控開發也變得異常簡單，現有Mobiveil’s NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地適應ReRAM架構。

不過Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革現有SSD名，因為它至少短期內不是民用消費級，而是面向商業應用方案，因為目前來看ReRAM SSD雖然性能指標一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更為昂貴，就像是Intel傲騰都是在虧本在賣。

所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM銷售方向、潛在客戶都與Intel 3D XPoint閃存硬盤Optane相同，并在積極開發能夠平衡價格與性能產品，帶動公司繼續發展。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的基于ReRAM技术的SSD要来了：超快读写速度、超高密度的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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