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东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块

發(fā)布時(shí)間:2023/12/3 综合教程 50 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块 小編覺得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

風(fēng)君子博客8月30日消息,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊——“MG250YD2YMS3”。 新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應(yīng)用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。

MG250YD2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導(dǎo)通電壓(傳感器)。此外,它還具有較低的開通和關(guān)斷損耗,分別為14mJ(典型值)和11mJ(典型值),與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%。這些特性均有助于提高設(shè)備效率。由于MG250YD2YMS3可實(shí)現(xiàn)較低的開關(guān)損耗,用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設(shè)備的小型化。

東芝將不斷創(chuàng)新,持續(xù)滿足市場對(duì)高效率和工業(yè)設(shè)備小型化的需求。

應(yīng)用

工業(yè)設(shè)備

? 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)(光伏發(fā)電系統(tǒng)等)

? 儲(chǔ)能系統(tǒng)

? 工業(yè)設(shè)備用電機(jī)控制設(shè)備

? 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块的全部內(nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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