10 月 20 日消息，據中國科學院上海微系統所消息，上海微系統所魏星研究員團隊近日宣布，在 300 mm SOI 晶圓制造技術方面已取得突破性進展，制備出了國內第一片 300 mm射頻（RF）SOI 晶圓。

從文章中得知，相關科研團隊基于集成電路材料全國重點實驗室 300 mm SOI 研發平臺，依次解決了 300 mm RF-SOI 晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現了國內 300mm SOI 制造技術從無到有的重大突破。

據悉，為了制備適用于 300 mm RF-SOI 的低氧高阻襯底，團隊自主開發了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質模型，并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內對流和傳熱傳質的影響機制以及結晶界面附近氧雜質的輸運機制，相關成果分別發表在晶體學領域的頂級期刊上。

官方表示，多晶硅層用作電荷俘獲層是 RF-SOI 中提高器件射頻性能的關鍵技術，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數與電荷俘獲性能有密切的關系。

此外，由于多晶硅 / 硅的復合結構，使得硅晶圓應力極難控制。團隊為制造適用于 300 mm RF-SOI 晶圓的多晶硅層找到了合適的工藝窗口，實現了多晶硅層厚度、晶粒尺寸、晶向和應力的人工調節。

在 300 mm RF-SOI 晶圓制備過程中，團隊自主開發了基于高溫熱處理的非接觸式平坦化工藝，實現了 SOI 晶圓原子級表面平坦化。

官方表示，目前 RF-SOI 晶圓已經成為射頻應用的主流襯底材料，占據開關、低噪放和調諧器等射頻前端芯片 90% 以上的市場份額。

隨著 5G 網絡的全面鋪開，移動終端對射頻模塊的需求持續增加，射頻前端芯片制造工藝正在從 200 mm 到 300mm RF-SOI 過渡，借此機會，國內主流集成電路制造企業也在積極拓展 300mm RF-SOI 工藝代工能力。

300 mm RF-SOI 晶圓的自主制備將有力推動國內 RF-SOI 芯片設計、代工以及封裝等全產業鏈的協同快速發展，并為國內 SOI 晶圓的供應安全提供堅實的保障。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的上海微系统所：国内首片 300 mm SOI 晶圆制备完成，实现技术从无到有重大突破的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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