媒體報(bào)道，第一代FinFET 14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFET N+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。梁孟松披露，中芯國(guó)際的下一代N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。2019年，14nm工藝首次貢獻(xiàn)了1%的營(yíng)收，約768.9萬美元。如果N+1工藝能夠盡快落地，對(duì)于中芯國(guó)際而言，無疑是強(qiáng)心劑。

不過，當(dāng)下國(guó)際大環(huán)境對(duì)中芯國(guó)際不太友好，想必正是因此，《日經(jīng)亞洲評(píng)論》報(bào)道，中芯國(guó)際和長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃研發(fā)非美設(shè)備生產(chǎn)線。報(bào)道稱，中芯國(guó)際計(jì)劃今年年底之前準(zhǔn)備建設(shè)不含美國(guó)設(shè)備的40nm芯片生產(chǎn)線，并計(jì)劃在三年內(nèi)在相同的基礎(chǔ)上研發(fā)更先進(jìn)的28nm制程產(chǎn)線。該報(bào)道還表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也準(zhǔn)備將國(guó)內(nèi)設(shè)備替代率從30%提高到70%。

之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)回應(yīng)稱，沒有設(shè)定國(guó)產(chǎn)設(shè)備比重目標(biāo)。鐵流認(rèn)為，就實(shí)現(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代而言，是當(dāng)下必須做的，但難度很大，比較合適的方式的循序漸進(jìn)，急切地短期設(shè)定高額指標(biāo)并不可取，而且容易受人詬病，引來“懂王”的關(guān)注，進(jìn)而引火燒身。

何況，在半導(dǎo)體設(shè)備上，西方廠商占據(jù)壟斷性地位，國(guó)內(nèi)設(shè)備商只占據(jù)市場(chǎng)5%的份額，短期想要打造先進(jìn)工藝全國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)線的難度非常高，這并非是一兩家企業(yè)的問題，而是整個(gè)行業(yè)乃至工業(yè)基礎(chǔ)上存在差距。這不是行政指導(dǎo)定幾個(gè)指標(biāo)就能實(shí)現(xiàn)的，必須十年如一日兢兢業(yè)業(yè)搞研發(fā)，才有希望循序漸進(jìn)，一步一個(gè)腳印提升設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化水平。就28nm工藝線而言，國(guó)外分析師認(rèn)為，大陸沒有能力建成非美生產(chǎn)線。

另外，購(gòu)買到設(shè)備并非一勞永逸，正如大家的汽車在使用中需要保養(yǎng)，這些高端大氣上檔次的半導(dǎo)體設(shè)備，也是需要持續(xù)“保養(yǎng)”的，國(guó)外設(shè)備大廠都會(huì)有技術(shù)人員駐工廠提供技術(shù)支持，一旦國(guó)際局勢(shì)風(fēng)云突變，外商會(huì)撤走所有技術(shù)支持，晶圓廠會(huì)陷入非常尷尬的境地。

當(dāng)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)最需要的是時(shí)間，低調(diào)做事，以十年為單位逐漸提升生產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)化水平。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的中芯国际第二代FinFET工艺有望与2020年底试产的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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