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3nm比5nm提升多少?台积电公布三大关键指标!摩尔定律不死

發(fā)布時(shí)間:2023/12/6 综合教程 53 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 3nm比5nm提升多少?台积电公布三大关键指标!摩尔定律不死 小編覺得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

近年來,摩爾定律正在逐漸消失的說法不絕于耳。但臺(tái)積電用工藝證明,摩爾定律不死,仍在持續(xù)往前推進(jìn)。

工藝越先進(jìn),晶體管微縮越困難。此前,聯(lián)電、格芯相繼放棄10nm以下的先進(jìn)制程的研發(fā),Intel也在工藝制程上持續(xù)放緩。

據(jù)芯智訊消息,12月22日舉辦的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2021年會(huì)暨無(wú)錫集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上,臺(tái)積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球表示,臺(tái)積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續(xù)往前推進(jìn)。

羅鎮(zhèn)球介紹,臺(tái)積電的7nm是在2018年推出的,5nm是在2020年推出的我們?cè)?022年會(huì)如期推出3nm的工藝,而且我們2nm的工藝也在順利研發(fā)。

對(duì)于工藝制程來說,最關(guān)鍵的指標(biāo)有三個(gè):性能、功耗和密度(單位面積內(nèi)的晶體管數(shù)量)。

羅鎮(zhèn)球稱,臺(tái)積電從7nm到5nm再到3nm,單位面積里面的晶體管數(shù)相比上一代都是會(huì)增長(zhǎng)1.7到1.8倍,性能部分每代都會(huì)提升高超過10%。同樣性能情況下,功耗可以降低20%以上。

對(duì)于3nm量產(chǎn)困難的傳聞,羅鎮(zhèn)球表示,那些都只是傳聞,會(huì)如期(2022年)量產(chǎn)3nm。

據(jù)臺(tái)積電官方資料顯示,臺(tái)積電的3nm相比上一代的5nm工藝,在邏輯密度上提升了1.7倍,性能提升了11%,同等性能下功耗可降低25-30%

總結(jié)

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