近日業(yè)內(nèi)傳出消息稱，美光科技正在解散150人左右規(guī)模的上海研發(fā)中心，并挑選40多位核心研發(fā)人員提供技術(shù)移民美國的資格。

有業(yè)界人士分析稱，美光解散DRAM設(shè)計團隊很有可能是出于防止技術(shù)外泄的考慮，并將產(chǎn)品的設(shè)計和研發(fā)收攏至大陸以外的地區(qū)。

對此，美光 回應(yīng)，這次人事調(diào)整僅針對該設(shè)計中心的 DRAM 設(shè)計部門，約有百余名員工受到影響。

報導指出，多位美光前員工與在職員工表示，美光此次并非解散整個上海研發(fā)中心，僅僅解散DRAM設(shè)計部門，該部門總?cè)藬?shù)超過100人。

通過美光員工證實，上海DRAM設(shè)計團隊將在今年內(nèi)完成解散，公司提供技術(shù)移民美國資格的消息屬實，部分核心員工將可攜帶家屬一同移民美國，但目前無法確定有多少員工會選擇移民。

一名美光前員工透露：“美光的DRAM設(shè)計團隊此前有一大波人員流失至國內(nèi)的本土IC設(shè)計公司和存儲大廠。”

因此，有半導體行業(yè)內(nèi)人士分析，美光解散DRAM設(shè)計團隊很有可能是出于防止技術(shù)外泄的考慮，雖然目前國內(nèi)的DRAM企業(yè)數(shù)量相對較少，但未來幾年有可能涌現(xiàn)出新的幾家DRAM制造商，且現(xiàn)有DRAM企業(yè)也正求才若渴，美光此舉或是想將產(chǎn)品的設(shè)計和研發(fā)收攏至中國大陸以外地區(qū)。加上美光十分重視知識產(chǎn)權(quán)保護，因此有可能提前進行部署。

值得一提的是，此前美光就曾以專利侵權(quán)及竊取商業(yè)機密為由起訴了聯(lián)電和福建晉華。

2016 年5 月，聯(lián)電與福建晉華簽署了合作協(xié)議。依據(jù)該協(xié)議，聯(lián)電與晉華共同開發(fā)兩代動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM) 制程。協(xié)議中所開發(fā)的DRAM 制程并非最新技術(shù)，而是與2012 年已用于量產(chǎn)技術(shù)相似的舊技術(shù)。

然而，有3 位參與DRAM 合作案的臺灣美光前員工，卻違反與聯(lián)電簽訂的雇傭合約與聲明書，攜帶前公司信息進入聯(lián)電并于工作中參考，又將機密資料轉(zhuǎn)移給晉華，美光因此在臺灣起訴聯(lián)電，同年又在美國對聯(lián)電、晉華提起訴訟，隨后美國司法部開始調(diào)查。

2020年10 月28 日，聯(lián)電對竊取美光商業(yè)機密一案認罪，遭美國司法部處以6,000 萬美元罰金。

聯(lián)電當時指出，在與美國司法部的和解協(xié)議中，美國司法部同意撤銷對聯(lián)電原來包括共謀實施經(jīng)濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業(yè)秘密和專利有關(guān)等指控。聯(lián)電承認侵害一項營業(yè)秘密，同意支付美國政府6,000 萬美元的罰金，并在3 年自主管理的緩刑期間內(nèi)與美國司法部合作。

2021年11月，聯(lián)電和美光宣布達成全球和解協(xié)議，雙方將各自撤回向?qū)Ψ教岢龅脑V訟，同時聯(lián)電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方將共創(chuàng)商業(yè)合作機會。

美光科技表示，其為創(chuàng)新記憶體和儲存空間解決方案的業(yè)界領(lǐng)導者，擁有超過40 年技術(shù)引領(lǐng)與創(chuàng)新經(jīng)驗及總數(shù)超過47,000 件的全球?qū)＠?，積極大幅投資于先進研發(fā)及制造。該公司持續(xù)推動對于數(shù)據(jù)經(jīng)濟至關(guān)重要的各項創(chuàng)新，對于智慧財產(chǎn)權(quán)的保護則是公司保持競爭力的重要基石。

市場調(diào)研公司Counterpoint的報告顯示，目前在全球市占率中，三星（41.5%）與SK海力士（29.3%）、美光（23.4%）便掌握全球九成份額。反觀國內(nèi)DRAM企業(yè)相對少，目前國內(nèi)專注于DRAM存儲芯片的合肥長鑫雖然已有所突破，但與國際大廠仍有很大差距。

總結(jié)

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