據(jù)techpowerup報(bào)道稱，臺(tái)積電正在開(kāi)發(fā)3nm的工藝制程，包括了N3、N3B和N3E多個(gè)節(jié)點(diǎn)。

據(jù)了解，臺(tái)積電原計(jì)劃在2022下半年量產(chǎn)N3節(jié)點(diǎn)，N3E量產(chǎn)計(jì)劃為2023年下半年。

但由于作為3nm簡(jiǎn)化版的N3E節(jié)點(diǎn)，量產(chǎn)率較高，臺(tái)積電希望早日實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，可能提前到2023年上半年。

N3E的工藝流程也已經(jīng)提前準(zhǔn)備好了，在這個(gè)月底就會(huì)確定下來(lái)。

據(jù)悉，N3E在N3基礎(chǔ)上減少了EUV光罩層數(shù)，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，不過(guò)仍比5nm的N5制程節(jié)點(diǎn)要高出60%，并且具有更好的性能、功耗和產(chǎn)量。

相比之下，據(jù)說(shuō)N3的邏輯密度比N5高70%。

還有N3B，據(jù)說(shuō)是針對(duì)某些客戶的 N3 的改進(jìn)版本，不過(guò)我們目前對(duì)N3B節(jié)點(diǎn)知之甚少。

無(wú)論N3E還是N3B，都不是用于取代N3，只是讓客戶有更多的選擇，在不同產(chǎn)品上有更好的性能和功耗表現(xiàn)。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm高60%的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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