模拟电子技术学习笔记-NPN三极管的内部结构
NPN三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu):
1,NPN三極管分為三個(gè)電極,分別為基極,發(fā)射極,集電極。
2.發(fā)射極發(fā)射電子,集電極收集電子。
3.發(fā)射區(qū)摻雜濃度高,自由電子多,基區(qū)做的很薄,摻雜濃度低。
4.發(fā)射結(jié)正偏的時(shí)候,發(fā)射區(qū)的自由電子由于摻雜濃度高,會(huì)向基區(qū)加速擴(kuò)散,即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇,由于基區(qū)做的很薄,摻雜濃度低,空穴的數(shù)量相對(duì)于發(fā)射區(qū)的自由電子來(lái)說(shuō)數(shù)量很少。因此,發(fā)射區(qū)的電子擴(kuò)散到基區(qū)之后,除了極少部分會(huì)與基區(qū)的空穴復(fù)合之外,其余的自由電子會(huì)繼續(xù)向集電區(qū)擴(kuò)散,而基區(qū)的基極則是不斷的產(chǎn)生空穴,與發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的自由電子復(fù)合。發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的這極少部分的電子會(huì)形成基極電流IB,擴(kuò)散到集電區(qū)的大部分自由電子則形成集電極電流IC。
5.反向電流Iebo,發(fā)射結(jié)正向偏置的時(shí)候,基區(qū)的少子-自由電子也會(huì)不斷的向發(fā)射極漂移,形成反向漂移電流Iebo,由于基區(qū)摻雜濃度很低,自由電子數(shù)量很少,因此Iebo電流很小,幾乎可以忽略不計(jì)。
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的模拟电子技术学习笔记-NPN三极管的内部结构的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。
- 上一篇: NPN三极管和N沟道MOS管引脚定义
- 下一篇: NPN三极管电平反向电路