存儲器按其存儲介質特性主要分為“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩大類。其中的“易失/非易失”是指存儲器斷電后， 它存儲的數據內容是否會丟失的特性。由于一般易失性存儲器存取速度快，而非易失性存儲器可長期保存數據， 它們都在計算機中占據著重要角色。在計算機中易失性存儲器最典型的代表是內存，非易失性存儲器的代表則是硬盤。

易失性存儲器

1、RAM（Random Access Memory）：隨機存儲器。可隨意讀取存儲器內部任意地址的數據，所需時間與數據所在位置無關，時間都是相同的。

根據RAM的存儲機制，又分為動態隨機存儲器DRAM(Dynamic RAM)以及靜態隨機存儲器SRAM(Static RAM)兩種。

DRAM：動態隨機存儲器。存儲單元以電容的電荷來表示數據，有電荷代表1，無電荷代表0。但隨著時間延長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，因此它需要定期刷新操作，即“動態(Dynamic)“的特性。 刷新操作會對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保證數據的正確性。

根據DRAM的通訊時是否需要使用時鐘信號，又分為同步和異步兩種。

SDRAM（Synchronous DRAM）：使用時鐘同步的通訊，速度更快，在時鐘的上升沿表示有效數據。

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：可以在時鐘的上升沿和下降沿各表示一個數據，即一個時鐘周期可以表示2位數據，在時鐘頻率相同的情況下，與SDRAM相比速度提高了一倍。至于DDRII和DDRIII，它們的通訊方式沒有區別，主要是通訊同步時鐘的頻率提高了。

2、SRAM：靜態隨機存儲器。存儲單元以鎖存器存儲數據，不需要定時刷新充電就能保持狀態。SRAM根據其通訊方式也分為同步(SSRAM)和異步SRAM，相對來說，異步SRAM用得比較廣泛。

3、DRAM和SRAM比較

DRAM的結構簡單得多，所以生產相同容量的存儲器，DRAM的成本要更低，且集成度更高。 而DRAM中的電容結構則決定了它的存取速度不如SRAM。所以在實際應用場合中，SRAM一般只用于CPU內部的高速緩存(Cache)，而外部擴展的內存一般使用DRAM。?

非易失性存儲器

1、ROM（Read Only Memory）：只讀存儲器。一般用于指代非易失性半導體存儲器。

MASK ROM：掩膜只讀存儲器。內部存儲數據不可修改，大批量生產時成本低。

OTPROM（One Time Programmable ROM）：一次可編程存儲器。用戶可以使用專用編程器自己寫入資料，但只能寫入一次，寫入后內容不可修改。

EPROM（Erasable Programmable ROM）：可重復擦寫的存儲器。使用紫外線照射芯片內部擦除數據，擦除和寫入需要專用設備。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：電可擦拆存儲器。EEPROM可以重復擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制， 不需要再使用外部設備來擦寫。而且可以按字節為單位修改數據，無需整個芯片擦除。

2、FLASH存儲器：閃存。可重復擦寫的存儲器，容量一般比EEPROM大得多， 且在擦除時，一般以多個字節為單位。

根據存儲單元電路的不同， FLASH存儲器又分為NOR FLASH和NAND FLASH。

NOR與NAND的共性是在數據寫入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇區/塊”為單位的。 而NOR與NAND特性的差別，主要是由于其內部“地址/數據線”是否分開導致的。

NOR的地址線和數據線分開，可以按“字節”讀寫數據，符合CPU的指令譯碼執行要求，所以假如NOR上存儲了代碼指令， CPU給NOR一個地址，NOR就能向CPU返回一個數據讓CPU執行，中間不需要額外的處理操作。

而NAND的數據和地址線共用，只能按“塊”來讀寫數據，假如NAND上存儲了代碼指令，CPU給NAND地址后， 它無法直接返回該地址的數據，所以不符合指令譯碼要求。若代碼存儲在NAND上，可以把它先加載到RAM存儲器上，再由CPU執行。所以在功能上可以認為NOR是一種斷電后數據不丟失的RAM， 但它的擦除單位與RAM有區別，且讀寫速度比RAM要慢得多。

另外，FLASH的擦除次數都是有限的(現在普遍是10萬次左右)，當它的使用接近壽命的時候，可能會出現寫操作失敗。 由于NAND通常是整塊擦寫，塊內有一位失效整個塊就會失效（壞塊），而且由于擦寫過程復雜，從整體來說NOR壞塊更少， 壽命更長。由于可能存在壞塊，所以FLASH存儲器需要“探測/錯誤更正(EDC/ECC)”算法來確保數據的正確性。

由于兩種FLASH存儲器特性的差異，NOR FLASH一般應用在代碼存儲的場合，如嵌入式控制器內部的程序存儲空間。 而NAND FLASH一般應用在大數據量存儲的場合，包括SD卡、U盤以及固態硬盤等，都是NAND FLASH類型的。

總結

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