memory分為兩類RAM和ROM。RAM根據讀寫端口個數又分為三類即單端口RAM（SP），偽雙端口RAM（TP）和雙端口RAM（DP）。SP只存在一個時鐘和一套讀寫端口，讀寫復用地址總線，讀寫不能同時操作。TP存在兩個時鐘（讀、寫）和一套讀寫端口，但是有各自地址總線，讀寫可以同時操作。DP存在兩個時鐘和兩套讀寫端口，每一套端口都支持讀寫操作，這兩套操作互補影響。
一般的memory compiler提供五個ram腳本（rf_sp,sram_sp,rf_tp,sram_dp,rom）。考慮面積和性能又劃分為High Speed和High Density。

偽雙口ram的工作原理，開始的時候以為有兩個wea使能信號，一個管寫入的數據和地址，一個管讀出的數據和地址。但是真正仿真后才發現只有一個wea控制信號。在clka與clkb都為高電平的前提下，當wea為0時，ram只進行寫操作，不讀，當wea為1時，ram同時進行寫和讀操作

在很多的時候，我們需要使用IP設計，比如SRAM IP（通常使用memory compiler 生成）得到的是.lib文件而不是.db文件。這時就需要Synopsys提供的library compiler工具將.lib文轉為.db文件，提供給DC綜合工具。library compiler工具的使用主要包含兩步，讀入和寫出。

一般memory 大小大于1Kbit時可以考慮用SRAM代替寄存器組，面積上的話隨著面積越大對應面積：SP<TD<DP。一般窄長形和寬矮型的RAM浪費的SRAM面積越多，因為大容量RAM都是由小的RAM塊單元拼湊而成，不規則的窄而長或者寬而矮的RAM，都是由規則的RAM平湊而成，勢必導致浪費一定的RAM面積來最終拼湊成需要的RAM size，所以在初期評估RAM size時一定要考慮RAM的形狀，以求最大化提高RAM的利用率，盡量不要出現奇葩的RAM size

總結

以上是生活随笔為你收集整理的Memory Compiler的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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