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一.全H橋電路基礎(chǔ)知識(shí)

1.原理圖（以全NMOS管為例）

從上圖可看出，此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路由4個(gè)NMOS管構(gòu)成，形如H型，故名全H橋電路。通過控制4個(gè)MOS管的導(dǎo)通與截止達(dá)到對(duì)中間電機(jī)的不同控制效果。NMOS管的柵極為高電平時(shí)導(dǎo)通，低電平時(shí)截止。

2.H橋工作模式

正轉(zhuǎn)模式

當(dāng)Q1、Q4的柵極為高電平，Q2、Q3為低電平時(shí)，Q1，Q4導(dǎo)通，如下圖所示，電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)。

反轉(zhuǎn)模式

當(dāng)Q2、Q3的柵極為高電平，Q1、Q4為低電平時(shí)，Q2，Q3導(dǎo)通，如下圖所示，電機(jī)反向旋轉(zhuǎn)。

電流衰減模式

可打開下面兩篇文章詳細(xì)了解。
慢速，混合和快速衰減模式
步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器中的電流衰減

1.此處我也進(jìn)行大致講解：
所謂衰減模式，可簡(jiǎn)單理解為如何使電機(jī)停下：如果控制電機(jī)一直向一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)不會(huì)產(chǎn)生問題。但是如果這是想讓電機(jī)停下，那么問題就來了。由于電機(jī)是感性負(fù)載，電流不能突變。在斷開電機(jī)兩端所加的電壓時(shí)，電機(jī)產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)很有可能損壞FET。因此想讓電機(jī)停下，除了斷開供電，還要形成一個(gè)續(xù)流的回路，釋放掉電機(jī)上的能量。

2.驅(qū)動(dòng)和衰減模式圖：（來源于數(shù)據(jù)手冊(cè)）

圖中添上了FET的寄生二極管。

以左側(cè)正向旋轉(zhuǎn)的圖為例：
1.首先電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)，電流流向如①線所示；
2.如果此時(shí)采取滑動(dòng)/快衰減模式：四個(gè)MOSFET關(guān)斷，電機(jī)上的電流會(huì)通過Q2和Q3的寄生二極管繼續(xù)流動(dòng)，如②線所示。可發(fā)現(xiàn)，此時(shí)電流的流向是與電源電壓相反的，因此電流衰減很快，當(dāng)電流衰減為0時(shí)，由于FET是關(guān)斷的，電源電壓不會(huì)加在電機(jī)上，電機(jī)會(huì)逐漸停下。
3.如果采取制動(dòng)/慢衰減模式：Q2、Q4導(dǎo)通，Q1、Q3關(guān)斷。電機(jī)上的電流通過Q2和Q4繼續(xù)流動(dòng)，如③線所示，電機(jī)上的能量會(huì)逐漸消耗在電機(jī)本身和Q2、Q3上，這樣的電流衰減相對(duì)較慢。

★ ★ ★ 有一點(diǎn)需要特別注意：快慢衰減指的是電流，而不是電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度。 ★ ★ ★

控制直流電機(jī)時(shí)，在快衰減模式下，由于電流迅速下降，那么電感電機(jī)上儲(chǔ)存的能量就會(huì)釋放很慢(簡(jiǎn)單理解E=I^2R),電機(jī)會(huì)逐漸停止，因此該模式又叫滑動(dòng)；
而在慢衰減模式下，電機(jī)的兩端類似于短接，電流很大且衰減慢，儲(chǔ)存的能量被瞬間釋放，此時(shí)電機(jī)會(huì)瞬間停止，因此該模式又叫制動(dòng)。

下面這篇文章很好地對(duì)其進(jìn)行了解釋：
The Difference Between Slow Decay Mode and Fast Decay Mode in H-Bridge DC Motor Applications

3.補(bǔ)充

★H橋中絕對(duì)不能出現(xiàn)同側(cè)（左側(cè)/右側(cè)）的FET同時(shí)導(dǎo)通的情況，因?yàn)檫@樣會(huì)導(dǎo)致電流不經(jīng)過電機(jī)直接到地，形成短路！因此在狀態(tài)切換時(shí)需要一步一步來，而集成H橋的芯片一般會(huì)在內(nèi)部自動(dòng)解決這個(gè)問題（利用死區(qū)控制），如下圖所示：在正轉(zhuǎn)和制動(dòng)之間切換時(shí)，會(huì)有一個(gè)過渡狀態(tài)（OFF）。

★此處還需補(bǔ)充一個(gè)知識(shí)：MOS管的高端與低端驅(qū)動(dòng)。簡(jiǎn)單來說，高端驅(qū)動(dòng)即MOS管在負(fù)載的高電位一端；相反低端驅(qū)動(dòng)即MOS管在負(fù)載的低電位一端。如上圖所示：Q1、Q3為高端驅(qū)動(dòng)，Q2、Q4為低端驅(qū)動(dòng)。在H橋中也常常被稱為上臂和下臂。

★此外，如果對(duì)MOS管原理有所了解，則可看出，打開高端NMOS所需的柵極電壓會(huì)比打開低端NMOS所需的柵極電壓大很多(要高于驅(qū)動(dòng)電源電壓）。(因?yàn)殚_啟需要條件Vgs>Vth，而高端MOS導(dǎo)通后的源極電位較高，幾乎接近電源電壓，此時(shí)如果柵極電壓仍為電源電壓，則又關(guān)斷)

★驅(qū)動(dòng)電壓越大，轉(zhuǎn)速越快；電流越大，扭矩越大；

★當(dāng)扭矩<負(fù)載時(shí)，電機(jī)轉(zhuǎn)速會(huì)下降，電流上升從而增大扭矩。當(dāng)負(fù)載非常大，電機(jī)帶不動(dòng)從而停止轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)（堵轉(zhuǎn)），電流達(dá)到最大值，此時(shí)需特別注意，很有可能燒壞電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

二.DRV8833芯片介紹

1.基本介紹

該芯片接線和控制都較為簡(jiǎn)單，初學(xué)可從此芯片模塊入手。

由于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)需要的電流很大，單片機(jī)I/O的驅(qū)動(dòng)能力是遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到的。因此需要使用專用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。此款電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片即是基于上述的H橋電路。芯片中共有兩個(gè)全H橋。因此最多可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)步進(jìn)電機(jī)。(對(duì)于步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)在我的另外一篇文章進(jìn)行了詳細(xì)介紹）

★電源供電電壓2.7~10.8V，每個(gè)H橋輸出的均方根（RMS）電流為1.5A，峰值可達(dá)2A。
★內(nèi)置過熱保護(hù)和用戶可調(diào)的限流保護(hù)電路。

2.引腳功能

引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能

nSLEEP	1	I	睡眠模式控制，高電平使能芯片，低電平進(jìn)入睡眠模式(關(guān)閉芯片)	BIN1	9	I	H橋B的邏輯輸入1腳
AOUT1	2	O	H橋A的輸出1腳	BIN2	10	I	H橋B的邏輯輸入2腳
AISEN	3	O	H橋A的電流控制，可通過一個(gè)電阻接地限制電流(不限電流時(shí)直接接地），詳見后面介紹	VCP	11	IO	用于高端FET柵極驅(qū)動(dòng)電壓，需要一個(gè)10nF,耐壓16V的陶瓷電容接到VM腳
AOUT2	4	O	H橋A的輸出2腳	VM	12	–	電機(jī)電源供應(yīng)2.7V-10.8V，需要一個(gè)10uF的濾波電容接地
BOUT2	5	O	H橋B的輸出2腳	GND	13	–	器件接地腳
BISEN	6	O	H橋B的電流控制，可通過一個(gè)電阻接地限制電流(不限電流時(shí)直接接地），詳見后面介紹	VINT	14	–	芯片內(nèi)部穩(wěn)壓器的輸出(3.3V)，需要一個(gè)2.2uF,耐壓6.3V的濾波電容接地
BOUT1	7	O	H橋B的輸出1腳	AIN2	15	I	H橋A的邏輯輸入2腳
nFAULT	8	OD	當(dāng)溫度過高或通過電流過大時(shí)會(huì)輸出低電平進(jìn)行提示	AIN1	16	I	H橋A的邏輯輸入1腳

★由于MOS管導(dǎo)通后會(huì)產(chǎn)生一定的飽和壓降(Vsat，不同芯片有較大差異，具體看手冊(cè))，因此在選擇驅(qū)動(dòng)電壓VM時(shí)，可以接近或比所用電機(jī)額定電壓稍高。
★芯片邏輯電壓VINT的選擇要根據(jù)所用單片機(jī)的邏輯電平?jīng)Q定。如果單片機(jī)是5V邏輯電平，則VINT同樣選擇5V輸入。

3.功能框圖

框圖中也包含了芯片外部所需要的元件，主要是三個(gè)電容以及兩個(gè)電流檢測(cè)電阻（電阻可不接）。
當(dāng)溫度過高，溫度檢測(cè)保護(hù)模塊會(huì)使nFAULT所接的FET導(dǎo)通拉到低電平,同時(shí)H橋轉(zhuǎn)成衰減模式，不再給電機(jī)供電。

4.結(jié)構(gòu)詳細(xì)介紹

1. 通過xIN1和xIN2給出四種邏輯組合“00”、“01”、“10”、“11”，然后通過中間的邏輯控制轉(zhuǎn)換電路令相應(yīng)的FET導(dǎo)通或截止，從而對(duì)應(yīng)產(chǎn)生四種輸出效果。（需注意：xIN1和xIN2并非直接控制H橋的柵極電壓，只是給出所需功能對(duì)應(yīng)的邏輯組合信號(hào)）

2.xISEN腳接電阻用于限制通過的電流。整理一下即如下圖所示。
當(dāng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，電流流過電阻，在xISEN處產(chǎn)生電壓（即將電流轉(zhuǎn)成電壓進(jìn)行檢測(cè)）。然后與200mV的參考電壓比較，如果大于200mV，則比較器輸出低電平，同樣使nFAULT拉低，H橋轉(zhuǎn)成衰減模式，不再給電機(jī)供電。
如果不需要限流，則xISEN腳直接接地即可。

限流電阻大小的選擇：

RXISEN?=ICHOP?200mV?,其中RXISEN?為所需的電阻值，ICHOP?為設(shè)定的限流值。

5.邏輯控制

下表為最基礎(chǔ)邏輯控制表：

借助此表便可對(duì)直流電機(jī)進(jìn)行簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)與制動(dòng)（此時(shí)電機(jī)工作于全速狀態(tài)，無速度控制）。
把xIN1和xIN2分別接到單片機(jī)I/O口，xOUT1和xOUT2接到直流電機(jī)兩端。
當(dāng)控制xIN1為1，xIN2為0時(shí)，電機(jī)便正轉(zhuǎn)。

★再進(jìn)一步便可借助PWM對(duì)電機(jī)轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，如下表所示：

以xIN1為PWM，xIN2為0為例，電機(jī)在正向轉(zhuǎn)動(dòng)模式與快衰減模式之間不斷切換。
波形圖類似如下：前面提到，電壓的大小決定直流電機(jī)轉(zhuǎn)速。從第三個(gè)圖V12=Vout1-Vout2可看出，加在電機(jī)兩端的電壓變化隨著PWM變化，則其平均值Vave=D*Vcc（D為PWM占空比，VCC為驅(qū)動(dòng)電壓）也隨著占空比的增大而增大，從而速度也相應(yīng)增加；反之則降低。

PWM的頻率一般選在5k~20kHz。

把上表歸納總結(jié)一下：
1.當(dāng)xIN中有一個(gè)恒為低電平，另一個(gè)為PWM時(shí):采取正反轉(zhuǎn)與滑動(dòng)/快衰減，占空比越大，轉(zhuǎn)速越快。
2.當(dāng)xIN中有一個(gè)恒為高電平，另一個(gè)為PWM時(shí):采取正反轉(zhuǎn)與制動(dòng)/慢衰減，占空比越小，轉(zhuǎn)速越快。

PWM調(diào)速模式下快慢衰減的選擇：
★配合慢衰減調(diào)速時(shí)，當(dāng)轉(zhuǎn)速較低會(huì)產(chǎn)生抖動(dòng)；而配合快衰減調(diào)速會(huì)更平滑一些。
★配合快衰減調(diào)速相比慢衰減調(diào)速，速度會(huì)更快，但扭矩會(huì)更小。

6.另外一種DRV8833CPWP型號(hào)的區(qū)別

★如上圖所示：此芯片在結(jié)構(gòu)上唯一不同之處在于，H橋的高端驅(qū)動(dòng)變成了兩個(gè)PMOS管，低端驅(qū)動(dòng)同樣為兩個(gè)NMOS管。
★由于PMOS管是柵極為低電平時(shí)導(dǎo)通，因此不像前一個(gè)芯片需要極大的高端驅(qū)動(dòng)NMOS柵極電壓。該芯片也因此無VINT引腳（該腳位空腳）。
★在性能上，此芯片相當(dāng)于低電流版本：輸出RMS電流只能0.7A，峰值電流1A。

三.TB6612FNG芯片介紹

1.基本介紹

TB6612FNC是東芝半導(dǎo)體公司的一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，也是集成了兩個(gè)全H橋。在應(yīng)用上基本與DRV8833相似，但性能更好，價(jià)格也相對(duì)較高。

★電源供電電壓2.5~13.5V，H橋輸出的平均電流1.2A，最大可到3.2A。（可見驅(qū)動(dòng)能力比DRV8833略強(qiáng)）
★內(nèi)置過熱保護(hù)和低壓檢測(cè)關(guān)斷電路
★PWM控制的頻率可達(dá)100kHZ

2.引腳功能

此芯片的很多引腳其實(shí)是重復(fù)的，是從同一處引出的，這樣在接線時(shí)可增加接觸面積，從而提高可通過的電流。

引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能

AO1	1	O	H橋A的輸出1	VM2	13	–	電機(jī)電源供應(yīng)2.5~13.5V，需要一個(gè)100nF和10uF的濾波電容接地
AO1	2	O	同1腳	VM3	14	–	同13腳
PGND1	3	–	H橋A的電機(jī)電源地	PWMB	15	I	H橋B的PWM輸入
PGND1	4	–	同3腳	BIN2	16	I	H橋B的邏輯輸入2
AO2	5	O	H橋A的輸出2	BIN1	17	I	H橋B的邏輯輸入1
AO2	6	O	同5腳	GND	18	–	信號(hào)地
BO2	7	O	H橋B的輸出2	STBY	19	I	待機(jī)模式控制，高電平（3.3V/5V）使能芯片，低電平進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)
BO2	8	O	同7腳	VCC	20	–	給內(nèi)部邏輯電路供電（3.3V/5V均可），需要一個(gè)100nF和10uF的濾波電容接地
PGND2	9	–	H橋B的電機(jī)電源地，實(shí)際與3腳相連	AIN1	21	I	H橋A的邏輯輸入1
PGND2	10	–	同9腳	AIN2	22	I	H橋A的邏輯輸入2
BO1	11	O	H橋B的輸出1	PWMA	23	I	H橋A的PWM輸入
BO1	12	O	同11腳	VM1	24	–	同13腳

★一般會(huì)將VCC與STBY接在一起然后共同接到3.3V或5V，此時(shí)芯片不會(huì)進(jìn)入待機(jī)模式。

3.功能框圖

上面框圖中畫出了使用該芯片需要外接的元件（4個(gè)濾波電容）。

從上面的TB6612的功能框圖可發(fā)現(xiàn)，其與DRV8833最大不同即在輸入控制上，除了輸入1和輸入2，還有一個(gè)PWM輸入腳。下面就看看TB6612具體的控制方式。

4.邏輯控制

CW（Clockwise順時(shí)針）：即正向旋轉(zhuǎn)；
CCW（Counterclockwise逆時(shí)針）：即反向旋轉(zhuǎn)；
Stop（自由停車）：即前述的滑動(dòng)/電流快衰減；
Short brake（剎車）：即前述的制動(dòng)/電流慢衰減；
Standby（待機(jī)）：即芯片不工作

仔細(xì)觀察上表，可發(fā)現(xiàn)其相比于DRV8833的控制，不同在于多了一個(gè)PWM腳。
★如果令PWM輸入腳一直為高電平，即只通過IN1和IN2控制電機(jī)的四個(gè)狀態(tài)（旋轉(zhuǎn)時(shí)為滿速狀態(tài)），這便是最基礎(chǔ)的控制。

★當(dāng)加入了PWM后，便可和之前一樣，通過占空比調(diào)節(jié)速度。
1.一種是IN1和IN2固定，PWM腳輸入PWM，此時(shí)是配合慢衰減調(diào)速。例如：IN1為1，IN2為0，PWM為PWM，則正轉(zhuǎn)和慢衰減相互切換；
2.另外一種是PWM腳為高電平，IN1、IN2中的一個(gè)固定另一個(gè)為PWM輸入，此時(shí)是配合快衰減調(diào)速。例如，IN1為1，IN2為PWM輸入，PWM為1，則正轉(zhuǎn)與快衰減相互切換。

★PWM的頻率一般選在5k~20kHz；

四.A4950芯片介紹

1.基本介紹

A4950是美國(guó)埃戈羅公司生產(chǎn)的一款單H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。因此網(wǎng)上賣的模塊多是使用兩塊芯片以達(dá)到可以控制兩個(gè)直流電機(jī)的能力。

★電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓：8~40V，輸出最大電流可達(dá)3.5A；
★內(nèi)置過溫保護(hù)，短路保護(hù)和可選擇的過流保護(hù)；

2.引腳功能

引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能

GND	1	–	接地
IN2	2	I	H橋邏輯輸入1
IN1	3	I	H橋邏輯輸入2
VREF	4	I	邏輯電壓和用于限流比較的電壓，一般接5V
VBB	5	–	電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓(內(nèi)部對(duì)其處理后供給邏輯電路）
OUT1	6	O	H橋輸出1
LSS	7	I	H橋的電流控制，可通過一個(gè)電阻接地限制電流(不限電流時(shí)直接接地）
OUT2	8	O	H橋輸出2
PAD	–	–	用于散熱

3.功能框圖

通過引腳說明和功能框圖可看出，此芯片不同之處有：
★只有單H橋，因此引腳較少；
★限流比較的參考電壓由外部給出（VREF腳）；因此限流值Isense=Vref/10/Rsense。如上面的模塊中，Vref接5V，Rsense為R250精密檢測(cè)電阻（0.25Ω），因此限流值為2A。
★當(dāng)IN1和IN2均保持低電平1ms，芯片進(jìn)入待機(jī)模式。而不是通過引腳直接控制。

4.邏輯控制

經(jīng)過對(duì)比發(fā)現(xiàn)，此芯片的驅(qū)動(dòng)邏輯與上述的DRV8833PWP芯片一模一樣，因此不再單獨(dú)講解。

五.L298N芯片介紹

1.基本介紹

L298N是ST公司的一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，也是集成了雙H橋，但與上面兩個(gè)略有不同。

★電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓3~48V；可持續(xù)工作的輸出電流為2A，峰值可達(dá)3A。
★如上圖，L298N模塊明顯比前兩個(gè)芯片模塊外接的元件多，這與L298N的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)（下面將介紹）。
★如上圖，由于該芯片在H橋上的損耗嚴(yán)重發(fā)熱較明顯（飽和壓降大），需要加裝散熱片，因此在使用上比前兩個(gè)芯片復(fù)雜，體積也相對(duì)較大。

2.引腳功能

引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能引腳名稱引腳標(biāo)號(hào)I/O功能

Sense A	1	O	H橋A的電流控制，可通過一個(gè)電阻接地限制電流(不限電流時(shí)直接接地）	VSS	9	–	給內(nèi)部邏輯電路供電，一般接5V
Out 1	2	O	H橋A的輸出1腳	Input 3	10	I	H橋B的邏輯輸入1
Out 2	3	O	H橋A的輸出2腳	Enable B	11	I	H橋B的使能控制端，高電平打開，低電平關(guān)閉
Vs	4	–	電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓3~48V，需要一個(gè)100nF的濾波電容接地	Input 4	12	I	H橋B的邏輯輸入2
Input 1	5	I	H橋A的邏輯輸入1	Out 3	13	O	H橋B的輸出1腳
Enable A	6	I	H橋A的使能控制端，高電平打開，低電平關(guān)閉	Out 4	14	O	H橋B的輸出2腳
Input 2	7	I	H橋A的邏輯輸入2	Sense B	15	O	H橋B的電流控制，可通過一個(gè)電阻接地限制電流(不限電流時(shí)直接接地）
GND	8	–	接地

★由上表可發(fā)現(xiàn)：L298N有兩個(gè)使能控制引腳可分別控制兩個(gè)H橋是否使能。
★其余則和前兩個(gè)芯片類似。

3.功能框圖

如上圖所示：L298N的內(nèi)部功能很多都類似，比如電流檢測(cè)，H橋驅(qū)動(dòng)，外接電容等；
★主要區(qū)別在于L298N的H橋采用了BJT而不是MOSFET。這就直接導(dǎo)致沒有寄生二極管，無法像前兩個(gè)芯片一樣實(shí)現(xiàn)續(xù)流。因此需要外接8個(gè)續(xù)流二極管。因?yàn)轭l率不高，選用普通的整流二極管即可（如1N4007）。如下圖所示：

★此芯片的電流檢測(cè)腳Sense X并不像前面的芯片，其沒有在內(nèi)部進(jìn)行電壓比較從而限流，從數(shù)據(jù)手冊(cè)上看，需要一個(gè)L297芯片配合進(jìn)行限流。因此一般直接接地，不進(jìn)行限流。

4.邏輯控制

以H橋A為例：

Enable AIN1IN2工作模式

0	X	X	滑動(dòng)/快衰減
1	0	0	制動(dòng)/慢衰減，用H橋下臂
1	0	1	反轉(zhuǎn)
1	1	0	正轉(zhuǎn)
1	1	1	制動(dòng)/慢衰減，用H橋上臂

這也是最基礎(chǔ)的控制方式（全速轉(zhuǎn)動(dòng)）；

★如果想進(jìn)行速度的控制，那么一種方法是對(duì)Enable A輸入PWM， 當(dāng)IN1=1，IN2=0時(shí)，即在正轉(zhuǎn)與快衰減之間來回切換，與前面原理類似，占空比越大，速度越快。

六.總結(jié)

★1.三款芯片的內(nèi)部原理和控制方式大同小異。

★2.可通過兩個(gè)H橋輸出的并聯(lián)控制一個(gè)直流電機(jī)，這樣最大驅(qū)動(dòng)電流可翻倍，這在芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)中均有說明。

★3.以上三種芯片驅(qū)動(dòng)能力排序：DRV8833<BT6612<A4950≈L298N;

★4.DRV8833、TB6612和A4950的體積小，外接元件少，使用簡(jiǎn)單；L298N體積大，外接元件多，使用相對(duì)復(fù)雜；

★5.個(gè)人認(rèn)為：A4950在這4款芯片中是比較好的選擇，雖然價(jià)格稍貴且需兩塊芯片才能實(shí)現(xiàn)雙H橋。

★6.選擇這種集成H橋芯片時(shí)，需要考慮的參數(shù)有：可承受的工作電流要大于電機(jī)的堵轉(zhuǎn)電流，防止堵轉(zhuǎn)時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片燒毀；導(dǎo)通電阻盡可能小，減少芯片的發(fā)熱損耗。

★7.以上四種芯片所能驅(qū)動(dòng)的電流最大也就3A。對(duì)于一些堵轉(zhuǎn)電流十幾安的電機(jī)來說是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。此時(shí)，所能選擇的集成H橋芯片也很少（英飛凌的BTN系列，價(jià)格較高，一般在30元以上）。因此常常采取電橋驅(qū)動(dòng)+MOS管的方式自行搭建H橋。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的电机驱动芯片——DRV8833、TB6612、A4950、L298N的详解与比较的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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