雙向晶閘管的觸發用的光耦驅動mos橋

交流輸入，無基極引線光耦，DIP-4或SMD-4，常用型號有PC814，TLP620，PS2505-1，LTV-814，K3010交流輸入，有基極引線光耦，DIP-6或SMD-6，常用型號有PC733H，TLP630，LTV-733，KP6010〔3〕按封裝形式來分：DIP，SMD，HDIP，SOP，SSOP。此處SMD就是在DIP的基礎上把引腳彎曲90度，原來是直插的要通過PCB板焊接，SMD類型的就可以在PCB表面焊接了.HDIP是在DIP的基礎上把引腳彎曲45度，再彎曲135度，就形成了HDIP.下面圖一是SMD，圖二是HDIP.

動放大輸入。R1和R2為運放的輸入電阻，R3和R4可為四個光耦的發光二極管(LED)提供偏置和控制電流。運放U1和光耦OPT1、OPT3組成了一個射級跟隨器，R5上的電壓即為運放的輸入電壓。運放的帶寬決定著構成隔離放大器的帶寬。現有的集成模擬隔離放大器的帶寬均在100kHz以下，而常用運放的帶寬是這個帶寬的幾倍到幾十倍。因此，本設計選用一般的運放就可以滿足輸入部分的帶寬要求。所以，輸入級的運算放大器可選用普通運放(如LF353)。R7和C3用來濾波。本電路的隔離輸出部分由OPT2、OPT4的光敏三極管OPT2_B、OPT4_B、電位器W1和輸出電阻R6組成。OPT2_B和OPT4_B為隔離輸出，它的電路結構和輸入部分的光敏三極管相似，用于為輸出級提供電流。電位器W1用來調零。

5.全波小功率高壓開關如圖5所示。該電路增加整流全橋，便成了全波整流小功率高壓開關，電路如圖5所示。圖6中，R3為限流電阻，用以限制OP內的光控晶閘管的通態電流，防止C2的放電電流損壞光控晶閘管。C2、R2組成阻容吸收電路，對光控晶閘管起保護作用。7.驅動大功率雙向晶閘管電路驅動大功率雙向晶閘管電路如圖7所示，可用于全波控制。

實際三極管在截止時呈現的電阻不會是無窮大的，因此也會在輸出回路產生一定的集電極暗電流ICEO(Collectordarkcurrent)如果我們在輸入端施加有一定頻率的信號，則相應在輸出端有對應的信號，輸出高電平的幅度由外加電源VCC決定，這樣就可以實現電平轉換，而低電平則由光敏三極管的VCEO來決定

光耦

3-4.可控硅輸出型光耦這種可控硅光耦，既有雙向可控硅輸出，也有單向可控硅輸出。該類型的光耦主要用于控制交流負載，比如直接連接到家庭、辦公室和工廠中采用100或200Vrms商業電源的電機和電磁閥。它們采用了高耐壓型可控硅，可以打開和關閉輸入電流低至10mA的交流負載，同時提供電氣隔離。雖然單一的可控硅光耦只能控制很高100mA左右的交流電，但它可以結合使用一個功率可控硅，以便控制高達幾安培的交流電。

1、當晶體管用來驅動繼電器利用一個三極管，如圖，R1是三極管限流電阻，R2使三極管可靠截止，D1是續流二極管，也可以用1N4148，當三極管關斷時候由于繼電器有線圈，因此會產生一個反向電動勢，此時為繼電器線圈中的提供泄放通路，同時將電壓箝位在12V。工作過程：①當輸入高電平時，三極管Q1導通，同時繼電器線圈給以12V供電，當三極管導通時候，繼電器輸入兩端有12V，此時觸點吸合，負載通電；

極管(Photo-Diode)。輸入光二極管可以用來監測并穩定LED的光度輸出，因此LED的非線性和漂移特性幾乎被消除，輸出光二極管會產生線性對應LED光輸出的光電流，光二極管間的緊密匹配和先進的封裝設計可以確保光電耦合器的高線性度和穩定增益。上圖是立創商城上HCNR200(商品編號：C23785)的特性曲線(可見線性度是很高的)和內部結構，它特別適用于可以用來提供需要良好穩定性、線性度、帶寬和低成本等各種廣泛應用的模擬信號隔離。

1)在光電耦合器的輸入部分和輸出部分必須分別采用單獨的電源，若兩端共用一個電源，則光電耦合器的隔離作用將失去意義。2)當用光電耦合器來隔離輸入輸出通道時，必須對所有的信號(包括數位量信號、控制量信號、狀態信號)全部隔離，使得被隔離的兩邊沒有任何電氣上的聯系，否則這種隔離是沒有意義的。線性光耦原理與電路設計

總結

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