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CMOS 集成电路设计手册 (基础篇)--学习笔记 第二章
發布時間:2023/12/10
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豆豆
生活随笔
收集整理的這篇文章主要介紹了
CMOS 集成电路设计手册 (基础篇)--学习笔记 第二章
小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.
cmos 中的阱是進行cmos集成電路的基本部分,通常是在晶圓(襯底)上進行摻雜擴散。摻入5價磷的為n阱,3價硼的為p阱;n阱的多數載流子為電子,p阱的多數載流子為空穴。
寄生二極管
在最基本的n阱和p襯底之間形成的二極管為寄生二極管,同理,在進行基本的反向器制作中,會有寄生三極管的問題。
n阱用作電阻
電阻的阻值與電阻材料的電阻率和電阻尺寸有關。n阱的設計規則:n阱自身的尺寸、多個n阱之間的間距。
p型襯底上的n阱形成的二極管的DC特性,即為二極管的伏安特性方程;具體通過PN結的物理學特性、載流子濃度、費米能級、耗盡層電容、存儲或擴散電容等量化引出了n阱二極管的寄生電容和寄生電阻。進一步講述了該二極管在形成的RC寄生電路,其中對脈沖輸入信號的上升和延遲時間進行了量化求解。
為了減輕過度摻雜效應,講述了雙阱工藝,給出了阱的設計規則和對應的SEM圖。
通過第二章的學習了解了CMOS的基本制造要注意微小粒子數量級的閾度,比如單位si原子的數量為5*10的22次方(cm3),本征硅里的載流子數量為1.45*10的10次方(cm3)。大約10的12次方的si原子中才會有一個電子空穴對。對于摻雜的時候,摻雜的數量級是10的18次方個原子。打破原有的思維慣性,對于粒子的數量級要有一個分級的概念。
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總結
以上是生活随笔為你收集整理的CMOS 集成电路设计手册 (基础篇)--学习笔记 第二章的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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