cmos 中的阱是進行cmos集成電路的基本部分，通常是在晶圓（襯底）上進行摻雜擴散。摻入5價磷的為n阱，3價硼的為p阱；n阱的多數載流子為電子，p阱的多數載流子為空穴。

寄生二極管

在最基本的n阱和p襯底之間形成的二極管為寄生二極管，同理，在進行基本的反向器制作中，會有寄生三極管的問題。

n阱用作電阻

電阻的阻值與電阻材料的電阻率和電阻尺寸有關。n阱的設計規則：n阱自身的尺寸、多個n阱之間的間距。

p型襯底上的n阱形成的二極管的DC特性，即為二極管的伏安特性方程；具體通過PN結的物理學特性、載流子濃度、費米能級、耗盡層電容、存儲或擴散電容等量化引出了n阱二極管的寄生電容和寄生電阻。進一步講述了該二極管在形成的RC寄生電路，其中對脈沖輸入信號的上升和延遲時間進行了量化求解。

為了減輕過度摻雜效應，講述了雙阱工藝，給出了阱的設計規則和對應的SEM圖。

通過第二章的學習了解了CMOS的基本制造要注意微小粒子數量級的閾度，比如單位si原子的數量為5*10的22次方（cm3），本征硅里的載流子數量為1.45*10的10次方（cm3）。大約10的12次方的si原子中才會有一個電子空穴對。對于摻雜的時候，摻雜的數量級是10的18次方個原子。打破原有的思維慣性，對于粒子的數量級要有一個分級的概念。

?

總結

以上是生活随笔為你收集整理的CMOS 集成电路设计手册 （基础篇）--学习笔记 第二章的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。