1.半導(dǎo)體二極管與MOS管的開關(guān)特性

二極管：正向?qū)?#xff0c;反向截止，但是要注意的是從反向截止到正向?qū)ǖ臅r間極其短，但是從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂挂?jīng)過反向恢復(fù)（電荷存儲效應(yīng)）的過程，這個過程實際上就是存儲電荷消失的時間，也是結(jié)電容的放電時間。（所以可以用于防止反相電流過大的情況）

BJT：主要分為截止區(qū)放大區(qū)以及飽和區(qū)，截止區(qū)的時候Ib=0相當(dāng)于開關(guān)打開，斷路，而飽和區(qū)的時候，Vce=0.2-0.3V開關(guān)閉合導(dǎo)通。在放大區(qū)工作的時候，基級輸入理想的方波信號，它的集電極輸出的波形的起始和平頂部分都會延遲一段時間，有延遲時間，上升時間存儲時間以及下降時間

MOS：開關(guān)輸入信號在高低電平之間轉(zhuǎn)換的時候，MOS要通過導(dǎo)通電阻對負(fù)載電容放電，輸出電壓變化滯后于輸入電壓的變化，而且他的導(dǎo)通電阻大，所以其開關(guān)特性較差。

關(guān)于MOS管的增強型與耗盡型的之間的聯(lián)系區(qū)別。

增強型的MOS管指的是輸入到柵極的電壓Vgs是大于零的，隨著柵極輸入電壓Vgs的增大，電流Id 也在增大，載流子不斷向柵極靠攏的過程；而耗盡型的MOS指的是柵極輸入電壓VGs從一開始的時候是小于零的，這時候的載流子都集中在柵極，然后VGs絕對值變大的過程中，Id變大，同時載流子不斷減少的過程

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的逻辑门电路的知识点归纳的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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