全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%
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全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%
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很顯然,現在的三星想要通過大規模量產更先進工藝制程,來對臺積電實現超越,這個你覺得能行嗎?
據韓國媒體報道稱,三星將在未來幾天宣布開始批量制造,在生產世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。
NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后,正為其下一代產品選擇臺積電,這些GPU原本是在三星的8nm工藝節點上制造的。
來自韓國當地媒體的報道顯示,三星正準備宣布開始3納米的批量制造,可能最快在本周。這將是對競爭對手臺積電的一次重大挑戰,這也意味著這家韓國公司將成為第一個使用全柵極場效應晶體管(GAAFET)的公司。
有傳言稱,三星也已經獲得了新工藝節點的第一批客戶,該公司是否能夠避免重蹈8nm和4nm的覆轍將是值得關注的。無論如何,代工業務是三星底線的一個強有力的貢獻者,其一半以上的營業利潤--約67億美元和變化--來自芯片部門。
總結
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