全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%
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全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%
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很顯然,現(xiàn)在的三星想要通過大規(guī)模量產(chǎn)更先進(jìn)工藝制程,來對臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)超越,這個(gè)你覺得能行嗎?
據(jù)韓國媒體報(bào)道稱,三星將在未來幾天宣布開始批量制造,在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過程中擊敗競爭對手臺(tái)積電。
NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后,正為其下一代產(chǎn)品選擇臺(tái)積電,這些GPU原本是在三星的8nm工藝節(jié)點(diǎn)上制造的。
來自韓國當(dāng)?shù)孛襟w的報(bào)道顯示,三星正準(zhǔn)備宣布開始3納米的批量制造,可能最快在本周。這將是對競爭對手臺(tái)積電的一次重大挑戰(zhàn),這也意味著這家韓國公司將成為第一個(gè)使用全柵極場效應(yīng)晶體管(GAAFET)的公司。
有傳言稱,三星也已經(jīng)獲得了新工藝節(jié)點(diǎn)的第一批客戶,該公司是否能夠避免重蹈8nm和4nm的覆轍將是值得關(guān)注的。無論如何,代工業(yè)務(wù)是三星底線的一個(gè)強(qiáng)有力的貢獻(xiàn)者,其一半以上的營業(yè)利潤--約67億美元和變化--來自芯片部門。
總結(jié)
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