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闪存中的NorFlash、NandFlash及eMMC三者的区别【转】

發布時間:2023/12/15 综合教程 27 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 闪存中的NorFlash、NandFlash及eMMC三者的区别【转】 小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.

本文轉載自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655

快閃存儲器(英語:Flash Memory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數據存儲,以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據,如儲存卡與U盤。閃存是非易失性的存儲器,所以單就保存數據而言, 它是不需要消耗電力的。

硬盤相比,閃存也有更佳的動態抗震性。這些特性正是閃存被移動設備廣泛采用的原因。閃存還有一項特性:當它被制成儲存卡時非常可靠,即使浸在水中也足以抵抗高壓與極端的溫度。閃存的寫入速度往往明顯慢于讀取速度。

一、NorFlash

NOR Flash需要很長的時間進行抹寫,但是它提供完整的尋址與數據總線,并允許隨機存取存儲器上的任何區域,這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當時ROM芯片主要用來存儲幾乎不需更新的代碼,例如電腦的BIOS或機上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環,它同時也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的,雖然它之后跳槽到成本較低的 NAND Flash。

二、NandFlash

NAND Flash式東芝在1989年的國際固態電路研討會(ISSCC)上發表的,要在NandFlash上面讀寫數據,要外部加主控和電路設計。NAND Flash具有較快的抹寫時間, 而且每個存儲單元的面積也較小,這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并沒有隨機存取外部地址總線,它必須以區塊性的方式進行讀取,NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千比特。
因為多數微處理器與微控制器要求字節等級的隨機存取,所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來,NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設備。NAND Flash非常適合用于儲存卡之類的大量存儲設備。第一款創建在NAND Flash基礎上的可移除式存儲媒體是SmartMedia,此后許多存儲媒體也跟著采用NAND Flash,包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。

三、eMMC

eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協會所訂立的,eMMC 相當于 NandFlash+主控IC,對外的接口協議與SD、TF卡一樣,主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器,它提供標準接口并管理閃存,使得手機廠商就能專注于產品開發的其它部分,并縮短向市場推出產品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應商來說,同樣的重要。
eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成,帶有MMC(多媒體卡)接口、快閃存儲器設備(Nand Flash)及主控制器,所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes,eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的闪存中的NorFlash、NandFlash及eMMC三者的区别【转】的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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