联想服务器在UEFI HII界面中配置阵列的基本操作
聯(lián)想服務(wù)器在UEFI HII界面中配置陣列的基本操作
操作步驟:
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重要提示：配置陣列時(shí)請(qǐng)謹(jǐn)慎操作，并仔細(xì)閱讀各種提示，以防誤操作導(dǎo)致數(shù)據(jù)損失。
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內(nèi)容導(dǎo)航
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一、進(jìn)入陣列卡配置界面并查看硬盤狀態(tài)
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二、創(chuàng)建RAID0/1/5/6陣列
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三、創(chuàng)建RAID10陣列
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四、創(chuàng)建分卷的RAID5陣列
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五、設(shè)置熱備盤及手動(dòng)替換已故障的硬盤重建陣列
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六、重新初始化陣列
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七、修改陣列緩存策略等參數(shù)
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八、配置CacheCade（SSD緩存加速）
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九、設(shè)置JBOD（單盤直通）模式
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十、導(dǎo)入和清除外來陣列
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十一、修復(fù)掉線的硬盤
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十二、刪除陣列
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十三、清空陣列配置
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十四、查看陣列卡緩存大小及電池狀態(tài)
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十五、陣列在線擴(kuò)容及陣列級(jí)別在線遷移
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十六、陣列卡固件刷新
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一、進(jìn)入陣列卡配置界面并查看硬盤狀態(tài)
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ThinkSystem系列服務(wù)器進(jìn)入陣列配置界面操作請(qǐng)參考《如何進(jìn)入ThinkSystem系列服務(wù)器SAS RAID陣列配置界面》（知識(shí)庫(kù)編號(hào)：167409）。
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System x M4、M5、M6及X6系列服務(wù)器進(jìn)入陣列配置界面操作請(qǐng)參考《如何進(jìn)入System x系列服務(wù)器SAS RAID陣列配置界面》（知識(shí)庫(kù)編號(hào)：167408）。
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ThinkServer RD650、RD550、RD450、RD350、TD350系列服務(wù)器進(jìn)入陣列配置界面操作請(qǐng)參考《如何進(jìn)入ThinkServer RD/TD_50系列服務(wù)器SAS RAID陣列配置界面》（知識(shí)庫(kù)編號(hào)：167404）。
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ThinkServer RQ940型服務(wù)器進(jìn)入陣列配置界面操作請(qǐng)參考《如何進(jìn)入ThinkServer RQ940系列服務(wù)器SAS RAID陣列配置界面》（知識(shí)庫(kù)編號(hào)：167411）。
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聯(lián)想各系列服務(wù)器的UEFI HII SAS RAID陣列配置界面有所不同，但操作步驟一致。有少數(shù)操作方式略有區(qū)別，詳見以上聯(lián)想知識(shí)庫(kù)文檔中有關(guān)硬盤選擇操作及確認(rèn)操作的說明。
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本文以ThinkSystem系列服務(wù)器文字界面及System x系列服務(wù)器UEFI HII陣列配置界面為例。
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進(jìn)入SAS RAID陣列配置界面后，首先是Dashboard界面，其中會(huì)顯示：
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"Status"，即SAS RAID卡狀態(tài)，正常情況下是"Optimal"；
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"BBU"，即備份單元狀態(tài)，如陣列卡配備有電池(BBU)或者超級(jí)電容(CVM)的即會(huì)顯示"Yes"，否則是"No"；
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"Drivers"，即硬盤數(shù)量；
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"Virtual Drives"，即RAID卷數(shù)量等狀態(tài)信息。
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（注意：部分舊型號(hào)SAS RAID卡及舊版本固件沒有Dashboard界面，Dashboard界面中的關(guān)鍵信息體現(xiàn)在Main Menu中的Controller Management中。）
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向下翻頁(yè)，在"MegaRAID ADVANCED SOFTWARE OPTIONS"會(huì)顯示RAID卡已激活的功能，例如下圖所示的：
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MegaRAID RAID6，即RAID6功能；
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MegaRAID RAID5，即RAID5功能；
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MegaRAID SafeStore，即數(shù)據(jù)保護(hù)功能；
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MegaRAID FastPath，即SSD增強(qiáng)功能；
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MegaRAID CacheCade 2.0，即SSD緩存功能；
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MegaRAID CacheCade Pro 2.0，即高級(jí)SSD緩存功能。
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注意：如未激活對(duì)應(yīng)功能，此處則不會(huì)有項(xiàng)目顯示。
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從Dashboard進(jìn)入Main Menu即是RAID配置主界面，有5個(gè)項(xiàng)目。
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"Configuration Management"是配置RAID設(shè)置
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"Controller Management"是對(duì)SAS RAID控制器進(jìn)行設(shè)置
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"Virtual Drive Management"是查看、調(diào)整RAID設(shè)置
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"Drive Management"是查看、調(diào)整硬盤設(shè)置
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"Hardware Components"是查看、調(diào)整RAID卡部件設(shè)置
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先確認(rèn)硬盤狀態(tài)是否為可用狀態(tài)。進(jìn)入"Drive Management"，確認(rèn)當(dāng)前界面是否出現(xiàn)所有硬盤，且硬盤狀態(tài)都是"Unconfigured Good"狀態(tài)。
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注意：
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1、只有Unconfigured Good狀態(tài)的硬盤才能配置RAID，Online狀態(tài)表示該盤已在某個(gè)陣列中，JBOD狀態(tài)表示該盤為單盤直通模式，Unconfigured Good狀態(tài)與JBOD狀態(tài)的相互轉(zhuǎn)換請(qǐng)看下文“設(shè)置JBOD模式”一節(jié)；
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2、如果Unconfigured Good前有"(Foreign)"標(biāo)記，說明此硬盤帶有外來陣列信息，請(qǐng)先確認(rèn)硬盤來源及需要導(dǎo)入、或者清除該信息，然后按照下文“導(dǎo)入和清除外來陣列”一節(jié)進(jìn)行操作；
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3、如果硬盤是"Unconfigured Bad"狀態(tài)，說明硬盤有異常。若硬盤容量識(shí)別正常，或者能確認(rèn)是因?yàn)檎`操作所致，請(qǐng)按照下文“修復(fù)掉線的硬盤”一節(jié)進(jìn)行操作。若已無(wú)法正確識(shí)別硬盤容量，建議重新插拔再識(shí)別硬盤，無(wú)效則硬盤已經(jīng)故障，請(qǐng)及時(shí)更換。
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二、創(chuàng)建RAID0/1/5/6陣列
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本節(jié)介紹8塊硬盤先創(chuàng)建一組RAID1陣列再創(chuàng)建一組RAID5陣列。
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進(jìn)入陣列卡配置主界面，進(jìn)入"Configuration Management"。
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再進(jìn)入"Create Virtual Drive"，創(chuàng)建一個(gè)陣列。
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"Select RAID Level"選擇RAID1。
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注意：RAID5等RAID Level需要陣列卡硬件支持或者激活相應(yīng)功能，亦需要可配置硬盤數(shù)量滿足最低要求，否則不會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)RAID級(jí)別。
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進(jìn)入"Select Drivers"以選擇要加入陣列的硬盤。
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選中2塊硬盤，然后選擇"Apply Changes"。
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注意：
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1、不同機(jī)型的硬盤選擇操作方式有區(qū)別，請(qǐng)查看對(duì)應(yīng)機(jī)型關(guān)于硬盤選擇操作的說明；
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2、不同RAID Level有不同的硬盤數(shù)量要求，如RAID1只能有2塊硬盤，RAID5至少需要3塊硬盤，RAID6至少需要4塊硬盤，RAID10至少需要4塊硬盤且為偶數(shù)；
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3、如果使用SSD（固態(tài)硬盤）配置陣列，需要將"Select Media Type"選項(xiàng)改為"SSD"。請(qǐng)勿將機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤加入同一組RAID陣列；
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4、由于"Select Interface Type"默認(rèn)值為"Both"，在選擇硬盤時(shí)可以看到SAS接口硬盤和SATA接口硬盤，但不要在同一組RAID陣列中同時(shí)選取SAS接口硬盤和SATA接口硬盤。
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告知操作已順利執(zhí)行，OK繼續(xù)。
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回到創(chuàng)建陣列界面，可以對(duì)"Virtual Drive Size"進(jìn)行修改以調(diào)整RAID卷大小。如果上一步"Select Drives"配置有誤，則此處不會(huì)顯示數(shù)值也無(wú)法修改；如需給陣列分卷，則在這里按回車鍵并輸入所需大小，詳見“創(chuàng)建分卷的RAID5陣列”一節(jié)。
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全新建立的陣列，建議將"Disable Background Initialization"設(shè)置為"Yes"，并將"Default Initialization"設(shè)置為"Fast"，進(jìn)行快速初始化，用以清空陣列及硬盤上的數(shù)據(jù)。
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注意：如果是嘗試修復(fù)誤刪除的陣列（卷），請(qǐng)保持"Default Initialization"為默認(rèn)的"No"。
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注意：如果將"Default Initialization"設(shè)置為"Full"會(huì)進(jìn)行慢速全盤初始化，慢速初始化過程中陣列可能無(wú)法使用，故不建議選擇此項(xiàng)。
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其他項(xiàng)目一般不需要進(jìn)行調(diào)整。如要調(diào)整其他項(xiàng)目，請(qǐng)閱讀下文“修改陣列緩存策略等參數(shù)”一節(jié)，并根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行操作。
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注意：部分參數(shù)，如"Strip Size"條帶尺寸在創(chuàng)建陣列后不可修改。
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選擇"Save Configuration"保存RAID配置。
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選擇"Save Configuration"后會(huì)出現(xiàn)確認(rèn)操作，提示會(huì)抹除硬盤上已有的數(shù)據(jù)，""確認(rèn)后，再選擇"Yes"繼續(xù)。
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注意：不同機(jī)型的確認(rèn)操作方式有區(qū)別，請(qǐng)查看對(duì)應(yīng)機(jī)型關(guān)于確認(rèn)操作的說明。
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提示操作已順利執(zhí)行，"OK"完成。
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由于還有"Unconfigured Good"狀態(tài)的硬盤，此時(shí)會(huì)自動(dòng)返回到"Create Virtual Drive"界面。繼續(xù)創(chuàng)建下一組RAID5陣列。
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"Select RAID Level"選擇"RAID5"。
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進(jìn)入"Select Drives"，選中要加入RAID5陣列的硬盤，然后選擇"Apply Changes"并確認(rèn)操作完成。
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注意：如果要全選所有硬盤可以選擇"Check All"。
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檢查"Virtual Drive Size"大小，并設(shè)置"Disable Background Initialization"為"Yes"及"Default Initialization"為"Fast"。其他項(xiàng)目同之前創(chuàng)建RAID1時(shí)。
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檢查無(wú)誤后選擇"Save Configuration"，然后確認(rèn)操作，完成陣列創(chuàng)建。
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返回陣列卡配置主界面，進(jìn)入"Virtual Drive Management"查看已創(chuàng)建好的陣列。
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確認(rèn)新建的Virtual Drive狀態(tài)為"Optimal"即狀態(tài)正常。
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接下來設(shè)置RAID卷為啟動(dòng)設(shè)備。返回陣列卡配置主界面，進(jìn)入"Controller Management"，設(shè)置"Select Boot Device"為要安裝操作系統(tǒng)的RAID卷，如剛剛創(chuàng)建的"Virtual Drive 0"。修改完成后即生效。
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注意："Select Boot Device"默認(rèn)值可能為"None"，如未設(shè)置正確可能導(dǎo)致安裝操作系統(tǒng)后無(wú)法正常引導(dǎo)啟動(dòng)操作系統(tǒng)。
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三、創(chuàng)建RAID10陣列
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本節(jié)介紹8塊硬盤創(chuàng)建一組RAID10陣列。
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請(qǐng)先閱讀上一節(jié)“創(chuàng)建RAID0/1/5/6陣列”，本節(jié)只介紹與上一節(jié)有區(qū)別的部分。
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"Select RAID Level"選擇"RAID10"。
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注意：RAID10要求至少4塊硬盤組成，若可用硬盤數(shù)量不滿足要求則RAID 10選項(xiàng)不可選。
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選擇在"Span 1:"下一行的"Select Drivers"。
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選取2塊硬盤后選擇"Apply Changes"并確認(rèn)。
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RAID10可以視為由2組以上的RAID1再組成的RAID0，所以要將硬盤兩兩分組。
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檢查"Span 1"中有2塊硬盤，再選擇"Add More Spans"添加一組Span。
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選擇在"Span 2:"下一行的"Select Drivers"。
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再選取2塊硬盤后選擇"Apply Changes"并確認(rèn)。
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檢查"Span 2"中有2塊硬盤，再選擇"Add More Spans"添加一組Span。
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后續(xù)操作步驟相同，直到將全部8塊硬盤分4組Span全部添加。
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檢查"Virtual Drive Size"顯示正確大小。如需給陣列分卷，則在這里按回車鍵并輸入所需大小，參照“創(chuàng)建分卷的RAID5陣列”一節(jié)。
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設(shè)置"Disabled Background Initialization"為"Yes"，設(shè)置"Default Initialization"為"Fast"。
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檢查設(shè)置正確后，選擇"Save Configutation"并確認(rèn)操作完成。
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返回陣列配置主界面，進(jìn)入"Virtual Drive Management"中查看已創(chuàng)建RAID10陣列的狀態(tài)是否為"Optimal"。再進(jìn)入"Controller Management"中將"Select Boot Device"修改為此RAID10陣列。
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四、創(chuàng)建分卷的RAID5陣列
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本節(jié)介紹8塊硬盤創(chuàng)建分為2卷的RAID5陣列。
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請(qǐng)先閱讀第二節(jié)“創(chuàng)建RAID0/1/5/6陣列”，本節(jié)只介紹有區(qū)別的部分。
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先創(chuàng)建一組RAID5陣列，選取硬盤以后檢查"Virtual Drive Size"及"Virtual Drive Size Unit"。
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根據(jù)實(shí)際情況修改"Virtual Drive Size"及"Virtual Drive Size Unit"。
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本節(jié)中創(chuàng)建第一卷為200GB，先設(shè)置"Virtual Drive Size Unit"為"GB"。
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在"Virtual Drive Size"上按回車，在輸入框中輸入第一卷的大小。
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檢查第一卷的大小無(wú)誤，設(shè)置"Disabled Background Initialization"為"Yes"，設(shè)置"Default Initialization"為"Fast"。
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檢查設(shè)置正確后，選擇"Save Configutation"并確認(rèn)操作完成。
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由于還有未分配的容量，此時(shí)會(huì)自動(dòng)返回到"Create Virtual Drive"界面。繼續(xù)創(chuàng)建下一卷。
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"Select RAID Level"選擇"RAID5"，設(shè)置"Select Drives From"為"Free Capacity"。
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進(jìn)入"Select Drive Groups"以選擇有剩余容量的陣列。
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選中之前創(chuàng)建尚有剩余容量的Drive Group，然后選擇"Apply Changes"，并確認(rèn)操作完成。
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檢查剩余容量無(wú)誤。如有需要還可以再分卷，操作相同。
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設(shè)置"Disabled Background Initialization"為"Yes"，設(shè)置"Default Initialization"為"Fast"。
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檢查設(shè)置正確后，選擇"Save Configutation"并確認(rèn)操作完成。
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返回陣列配置主界面，進(jìn)入"Virtual Drive Management"中查看已創(chuàng)建的2卷RAID5陣列的狀態(tài)是否為"Optimal"。再進(jìn)入"Controller Management"中將"Select Boot Device"修改為此第一卷RAID5陣列。
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五、設(shè)置熱備盤及手動(dòng)替換已故障的硬盤重建陣列
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本節(jié)介紹設(shè)置熱備盤和去除熱備盤。
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設(shè)置熱備盤操作在陣列狀態(tài)正常時(shí)為設(shè)置熱備盤，在陣列處于降級(jí)狀態(tài)(Degrade)時(shí)為手動(dòng)重建陣列。
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在陣列卡配置主界面進(jìn)入Drive Management，選擇1塊狀態(tài)為Unconfigured Good狀態(tài)的硬盤。
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在"Operation"中選擇"Assign Global Hot Spare Drive"設(shè)置全局熱備盤或者"Assign Dedicated Hot Spare Disk"設(shè)置專用熱備盤。
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全局熱備是指此陣列卡上有任何陣列降級(jí)時(shí)該盤都會(huì)進(jìn)行重建；專用熱備會(huì)將該盤分配給特定的陣列，只有特定陣列降級(jí)時(shí)該盤才會(huì)進(jìn)行重建。當(dāng)陣列卡上有多組陣列或者有不同型號(hào)的硬盤分別組成陣列時(shí)，推薦設(shè)置專用熱備。
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然后在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵。
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若設(shè)置為專用熱備，則會(huì)要求選中用于熱備的陣列，按"OK"繼續(xù)。
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若設(shè)置為全局熱備，則會(huì)提示可能會(huì)有不兼容的情況，確認(rèn)后繼續(xù)。
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告知操作順利完成，"OK"繼續(xù)。
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返回陣列卡配置主界面再進(jìn)入"Drive Management"即可看到該盤已經(jīng)是"Hot Spare"狀態(tài)了，如果分配到處于"Degrade"狀態(tài)的陣列，則該盤會(huì)進(jìn)行"Rebuild"重建。
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如果要去除熱備盤，先選中熱備盤，在"Operation"中選擇"Unassign Hot Spare Drive"移除熱備。
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在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵。
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會(huì)提示確認(rèn)移除熱備盤，在""處確認(rèn)后選"Yes"，然后會(huì)提示操作順利完成，"OK"繼續(xù)。
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六、重新初始化陣列
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如果在創(chuàng)建陣列時(shí)沒有選擇執(zhí)行初始化操作，或者保持已有陣列但需要清空其中的數(shù)據(jù)，都可以在陣列卡配置主界面"Virtual Drive Management"里對(duì)陣列進(jìn)行初始化.
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選擇要執(zhí)行初始化的Virtual Drive。
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在"Operation"選項(xiàng)中選擇"Fast Initialization"執(zhí)行快速初始化。
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"Slow Initialization"即慢速初始化，與創(chuàng)建陣列時(shí)設(shè)置"Default Initialization"為"Full"相同，都是用特定數(shù)據(jù)覆寫整個(gè)陣列。完全初始化會(huì)徹底檢測(cè)硬盤狀況并抹除全部數(shù)據(jù)，故耗時(shí)較長(zhǎng)，在此過程中可能無(wú)法正常使用陣列，一般只在陣列或者硬盤出現(xiàn)異常時(shí)使用。
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然后在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵。
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會(huì)提示陣列上的數(shù)據(jù)將被抹除，確認(rèn)繼續(xù)，快速初始化一般數(shù)秒鐘即可完成，慢速初始化可能需要數(shù)小時(shí)才能完成，會(huì)在"Virtual Drive Management"界面顯示操作進(jìn)度。
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七、修改陣列緩存策略等參數(shù)
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對(duì)已有的陣列和卷，可以在"Virtual Drive Management"中修改陣列緩存策略等參數(shù)。
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如用于System x系列服務(wù)器的ServeRAID M5210陣列卡加配緩存模塊或者閃存+超級(jí)電容套件后，可以在"Virtual Drive Management"中修改陣列緩存策略等參數(shù)以提升性能。
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選擇要修改緩存策略的Virtual Drive。
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進(jìn)入"Advanced..."頁(yè)面。
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修改"Default Write Cache Policy"為"Write Back"，調(diào)整寫入緩存策略為回寫模式。
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在此頁(yè)面也可以修改其他參數(shù)，部分參數(shù)只能在創(chuàng)建陣列時(shí)定義，無(wú)法后期修改。
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"Segment Size"（即創(chuàng)建陣列時(shí)的"Strip Size"），數(shù)據(jù)條帶尺寸，用以調(diào)整分布在各個(gè)硬盤上的數(shù)據(jù)塊單元尺寸。若陣列做存儲(chǔ)用途可以調(diào)大，若做數(shù)據(jù)庫(kù)類用途可以調(diào)小。調(diào)整此項(xiàng)可能會(huì)影響陣列性能。如果無(wú)特殊需求，則無(wú)需調(diào)整此項(xiàng)。此項(xiàng)在陣列創(chuàng)建后無(wú)法修改。
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"Access"（即創(chuàng)建陣列時(shí)的"Access Policy"），訪問策略。當(dāng)設(shè)置為"Read/Write"時(shí)，此卷可以被讀取和寫入，此為默認(rèn)值。當(dāng)設(shè)置為"Read Only"時(shí)，此卷只能被讀取不可寫入。當(dāng)設(shè)置為"Blocked"時(shí)，此卷無(wú)論讀寫都不可被訪問。
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"Default Write?Cache?Policy"（即創(chuàng)建陣列時(shí)的"Write?Policy"），寫入緩存策略，僅當(dāng)陣列卡配備有緩存時(shí)才可修改，否則固定為"Write Through"。當(dāng)設(shè)置為"Write Through"（直寫）時(shí)，數(shù)據(jù)最終寫入硬盤介質(zhì)時(shí)才反饋寫入完成，當(dāng)陣列卡未配備有緩存時(shí)此項(xiàng)為默認(rèn)值。當(dāng)設(shè)置為"Write Back"（回寫）且陣列卡配備有備份單元（電池）時(shí)數(shù)據(jù)寫入到陣列卡緩存時(shí)即反饋寫入完成，此模式會(huì)提升陣列性能，當(dāng)陣列卡配備有緩存時(shí)此項(xiàng)為默認(rèn)值；但若未配備備份單元時(shí)會(huì)以"Write Through"模式操作。當(dāng)設(shè)置為"Always Write Back"（強(qiáng)制回寫）時(shí)，不論緩存是否有備份單元（電池）都開啟回寫模式，此模式在服務(wù)器遇到意外停電時(shí)有較大數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)，請(qǐng)謹(jǐn)慎選用。
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"Disable Background Initialization (BGI)"（即創(chuàng)建陣列時(shí)的"Disable Background Initialization"），禁用后臺(tái)初始化，默認(rèn)為"No"（即不禁用后臺(tái)初始化）。在新創(chuàng)建陣列/卷后，陣列卡會(huì)在空間時(shí)對(duì)陣列/卷進(jìn)行后臺(tái)初始化操作，用以檢查硬盤及數(shù)據(jù)的一致性。后臺(tái)初始化時(shí)間較長(zhǎng)，可能影響硬盤性能，故建議在有進(jìn)行前臺(tái)初始化（即Fast Initialization或Full Initialization）時(shí)禁用后臺(tái)初始化。
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"Read Cache Policy"（即創(chuàng)建陣列時(shí)的"Read Policy"），讀取緩存策略，僅當(dāng)陣列卡配備有緩存時(shí)才可修改，否則固定為"No Read Ahead"。當(dāng)設(shè)置為"No Read Ahead"時(shí)，陣列卡不會(huì)進(jìn)行預(yù)讀操作，此為固態(tài)硬盤所組陣列的默認(rèn)設(shè)置。當(dāng)設(shè)置為"Read Ahead"時(shí)，陣列卡會(huì)自動(dòng)將主機(jī)所請(qǐng)求數(shù)據(jù)順序后的數(shù)據(jù)預(yù)先讀取到緩存中，可一定提升連續(xù)讀取性能，但對(duì)隨機(jī)讀取性能沒有明顯提升，此為機(jī)械硬盤所組陣列的默認(rèn)設(shè)置。
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"Drive Cache"，硬盤緩存策略。當(dāng)設(shè)置為"Disable"時(shí)，硬盤緩存被禁用，此為默認(rèn)設(shè)置。當(dāng)設(shè)置為"Enable"時(shí)，啟用硬盤緩存。當(dāng)設(shè)置為"Unchanged"時(shí)，不改變硬盤緩存策略。
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"Input/Outout (I/O)"（即創(chuàng)建陣列時(shí)的"I/O Policy"），IO策略，僅當(dāng)陣列卡配備有緩存時(shí)才可修改，否則固定為"Direct I/O"。當(dāng)設(shè)置為"Direct I/O"時(shí)，讀操作數(shù)據(jù)不會(huì)在緩存中緩沖，此為默認(rèn)值。當(dāng)設(shè)置為"Cached I/O"時(shí)，讀操作數(shù)據(jù)會(huì)在緩存中緩沖。
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"Emulation Type"，模擬方式。用于設(shè)置由高級(jí)格式(Advanced Format/AF)硬盤所組成的陣列/卷的扇區(qū)格式，默認(rèn)為"Default"。如需將高級(jí)格式的硬盤強(qiáng)制模擬為傳統(tǒng)512字節(jié)/扇區(qū)的格式，可設(shè)置為"Force"。
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修改參數(shù)后，選擇"Apply Changes"并確認(rèn)。
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注意："Current Write Cache Policy"為當(dāng)前緩存策略，緩存策略等參數(shù)變更需要重啟服務(wù)器才生效。
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八、配置CacheCade
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CacheCade是一項(xiàng)SAS RAID卡的可選高級(jí)功能，啟用此功能可以使用SSD對(duì)已有陣列和卷加速。要確認(rèn)CacheCade功能是否已啟用，請(qǐng)返回"Dashboard"界面進(jìn)行確認(rèn)。
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注意：ThinkSystem系列服務(wù)器都不支持CacheCade功能。
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System x系列服務(wù)器對(duì)用于CacheCade的SSD有等級(jí)要求，需要最低為Enterprise Value級(jí)別的SATA SSD，詳見https://support.lenovo.com/solutions/migr-5094754。
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注意：有關(guān)SSD等級(jí)的說明，請(qǐng)參考https://lenovopress.com上的Product Guide文檔。
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當(dāng)SAS RAID卡及SSD滿足以上要求后，在"Configuration Management"界面中會(huì)出現(xiàn)"Create Cachecade Virtual Drive"項(xiàng)目。
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創(chuàng)建CacheCade卷的操作與創(chuàng)建RAID卷類似，設(shè)置CacheCade的"RAID Level"及"Write Cache Policy"，并選擇要配置為CacheCade緩存的SSD。
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檢查無(wú)誤后，選擇"Create Cachecade Virtual Drive"保存設(shè)置。然后會(huì)提示操作完成，選擇"OK"繼續(xù)。
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返回"Main Menu"，再進(jìn)入"Virtual Drive Management"查看，已經(jīng)出現(xiàn)了剛剛新建的CacheCade卷。
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接下來要將現(xiàn)有陣列/卷使用CacheCade卷加速。進(jìn)入已有的陣列/卷，在"Operation"中選擇"Enable SSD Caching"。
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選擇下一行出現(xiàn)的"Go"。
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會(huì)有確認(rèn)操作，""確認(rèn)后選"Yes"，"OK"繼續(xù)。
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操作完成后，可以在該Virtual Drive的"Advanced..."中查看到CacheCade狀態(tài)。
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"SSD Caching"為"Enable"代表SSD緩存加速功能已啟用，"CacheCade Type"為"Read and Write"代表讀取和寫入操作都會(huì)進(jìn)行加速。
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注意：部分舊型號(hào)SAS RAID卡及CacheCade功能僅支持讀取加速，即"CacheCade Type"為"Read only"。
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九、設(shè)置JBOD模式
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如果不希望配置陣列，直接獨(dú)立使用硬盤，可以設(shè)置硬盤為JBOD，即單盤直通模式。
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首先要確認(rèn)當(dāng)前陣列卡是否支持JBOD模式。在陣列卡配置主界面進(jìn)入"Controller Management"，再進(jìn)入"Advanced Controller Properties"，查看"JBOD Mode"項(xiàng)目的狀態(tài)，如果是"Enabled"狀態(tài)則表示支持。
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用于System x系列服務(wù)器的ServeRAID M5110(e)及M5210(e)等陣列卡如配有帶緩存，則此項(xiàng)為"Disabled"，且不能直接修改，故不支持JBOD模式。如要啟用M5110(e)及M5210(e)陣列卡的JBOD模式，需要移除陣列卡上的緩存模塊后才能開啟。參考《移除ServeRAID M5210陣列卡的緩存模塊以開啟JBOD模式?》（知識(shí)庫(kù)編號(hào)：154463）。
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部分型號(hào)的SAS RAID卡及部分固件版本"JBOD Mode"項(xiàng)的設(shè)置可以手動(dòng)更改，"Apply Change"應(yīng)用更改以后會(huì)提示需要重啟服務(wù)器以切換SAS RAID卡工作模式。"JBOD Mode"從"Disabled"改為"Enabled"切換模式后陣列卡會(huì)降為iMR模式，包括RAID5在內(nèi)的高級(jí)功能將不可用，故執(zhí)行操作前請(qǐng)務(wù)必確認(rèn)，以防造成數(shù)據(jù)損失。
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"Unconfigured Good"狀態(tài)和"JBOD"狀態(tài)的硬盤可以任意相互轉(zhuǎn)換，在"Drive Management"界面中選中"Unconfigured Good"狀態(tài)的硬盤，在"Operation"中選擇"Make JBOD"。
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然后在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵，再確認(rèn)即可。
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如果要設(shè)置從該盤引導(dǎo)，還需要在"Controller Management"中的"Select Boot Device"選取該盤。
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設(shè)置從該盤為引導(dǎo)后，"Drive Management"中該盤會(huì)新增"Bootable"狀態(tài)。
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將"JBOD"狀態(tài)重置為"Unconfigured Good"狀態(tài)的步驟與上面類似，在"Operation"中選擇"Make Unconfigured Good"。
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然后在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵，確認(rèn)即可。
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硬盤"Unconfigured Good"狀態(tài)和"JBOD"狀態(tài)的相互轉(zhuǎn)換也可以在"Configuration Management"界面中操作，分別有"Make Unconfigured Good"和"Make JBOD"選項(xiàng)，可以一次批量轉(zhuǎn)換多個(gè)硬盤，操作與創(chuàng)建陣列時(shí)選取硬盤的步驟類似，在此不再贅述。
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十、導(dǎo)入和清除外來陣列
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本節(jié)介紹導(dǎo)入和清除來自其他服務(wù)器上硬盤的陣列信息。
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注意：進(jìn)行導(dǎo)入和清除外來陣列信息的操作不影響本機(jī)已有的陣列配置。
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進(jìn)入"Drive Management"查看是否已識(shí)別全數(shù)硬盤，且狀態(tài)為"(Foreign), Unconfigured Good"。
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注意：如果要進(jìn)行導(dǎo)入或者清除的硬盤狀態(tài)是"Unconfigured Bad"，請(qǐng)參考下一節(jié)“修復(fù)掉線的硬盤”，將硬盤狀態(tài)修改為"(Foreign), Unconfigured Good"后再行操作。
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返回陣列卡配置主界面，進(jìn)入"Configurtation Management"，再進(jìn)入"Manage Foreign Configuration"。
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要導(dǎo)入外來陣列信息，選擇"Preview Foreign Configuration"；要清除外來陣列信息，選擇"Clear Foreign Configuration"。
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選擇"Preview Foreign Configuration"后要確認(rèn)硬盤與陣列信息，確認(rèn)無(wú)誤后選擇"Import Foreign Configuration"。
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注意：導(dǎo)入外來陣列信息的前提是本機(jī)SAS RAID卡支持必要的RAID Level，而且外來陣列信息必須完整，否則會(huì)提示"Not Importable"。
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接著提示會(huì)將硬盤上的外來陣列信息導(dǎo)入進(jìn)現(xiàn)有配置中，確認(rèn)繼續(xù)。
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再次進(jìn)入"Drive Management"查看，硬盤狀態(tài)已變成"Online"。
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在"Virtual Drive Management"中也出現(xiàn)了剛剛導(dǎo)入的陣列。
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如果選擇了"Clear Foreign Configuration"，也會(huì)有提示將清除外來陣列信息。確認(rèn)操作后，硬盤會(huì)變成"Unconfigured Good"狀態(tài)。
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十一、修復(fù)掉線的硬盤
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本節(jié)介紹修復(fù)如在服務(wù)器運(yùn)行中因誤拔插所致的單一硬盤掉線的操作。
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硬盤掉線會(huì)在硬盤托架上亮黃燈（不論是正常硬盤因誤插拔掉線還是硬盤故障），此時(shí)對(duì)于非RAID0陣列則會(huì)處于"Degrade"狀態(tài)或者"Partial Degrade"狀態(tài)。
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注意：如果二個(gè)及以上的硬盤掉線，導(dǎo)致陣列已經(jīng)處于"Offline"狀態(tài)，意味著陣列已崩潰。建議尋求專業(yè)數(shù)據(jù)恢復(fù)進(jìn)行修復(fù)，僅當(dāng)數(shù)據(jù)沒有重要性時(shí)可參考本節(jié)內(nèi)容進(jìn)行操作。
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進(jìn)入"Drive Management"查看，被誤插拔的硬盤狀態(tài)是"Unconfigured Bad"。進(jìn)入此硬盤。
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在"Operation"中選擇"Make Unconfigured Good"將此硬盤重置為可用狀態(tài)。
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然后在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵，"OK"確認(rèn)。
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返回陣列卡配置主界面，再進(jìn)入"Drive Management"，查看此硬盤變?yōu)?#34;(Foreign), Unconfigured Good"狀態(tài)。原因是此硬盤帶有了與本機(jī)已有陣列不匹配的信息，需要進(jìn)一步操作。
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返回陣列卡配置主界面，進(jìn)入"Configuration Management"，再進(jìn)入"Manage Foreign Configuration"。
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選擇"Preview Foreign Configuration"查看并確認(rèn)信息再進(jìn)行導(dǎo)入。
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確認(rèn)掉線硬盤中的信息與現(xiàn)有陣列的信息一致，然后選擇"Import Foreign Configuration"導(dǎo)入，并確認(rèn)操作。
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再次返回"Drive Management"查看，此硬盤就會(huì)處于"Rebuilding"狀態(tài)進(jìn)行修復(fù)了，修復(fù)時(shí)間會(huì)根據(jù)硬盤容量、性能及業(yè)務(wù)負(fù)載等情況不同而有較大差異。
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十二、刪除陣列
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在"Virtual Drive Management"中選擇要?jiǎng)h除的陣列/卷，并在"Operation"中選擇"Delete Virtual Drive"。
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然后在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵。
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會(huì)有陣列和數(shù)據(jù)將被刪除的提示，確認(rèn)并繼續(xù)。
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十三、清空陣列配置
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當(dāng)陣列卡上所有陣列都需要?jiǎng)h除時(shí)可以直接在"Configuration Management"界面選擇"Clear Configuration"，該操作不對(duì)設(shè)置為JBOD模式的硬盤產(chǎn)生影響，也不對(duì)帶有Foreign狀態(tài)的硬盤產(chǎn)生影響。
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會(huì)提示所有陣列及數(shù)據(jù)都將被刪除，確認(rèn)繼續(xù)。
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返回陣列卡配置主界面在進(jìn)入"Virtual Drive Management"查看，所有陣列已經(jīng)被刪除。
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十四、查看陣列卡緩存大小及電池（超級(jí)電容）狀態(tài)
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要查看SAS RAID卡的緩存大小，可以在"Controller Management"界面的"Advanced Controller Properties"中"Cache And Memory"選項(xiàng)中查看。如果陣列卡配有緩存，則有"Memory Size"項(xiàng)目并顯示緩存大小。
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如果陣列卡已啟用CacheCade功能，并已設(shè)置CacheCade卷，在這里也會(huì)顯示CacheCade的狀態(tài)及可緩存數(shù)據(jù)大小。
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如果陣列卡沒有緩存，則沒有"Memory Size"這一項(xiàng)。
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電池（超級(jí)電容）狀態(tài)在陣列卡配置主界面的"Hardware Components"選項(xiàng)中，如果配有電池且狀態(tài)正常，則會(huì)有"Battery Status"項(xiàng)目，狀態(tài)為"Optimal"。
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注意：未配備電池（超級(jí)電容）則沒有"Battery Status"項(xiàng)目。
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十五、陣列在線擴(kuò)容及陣列級(jí)別在線遷移
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當(dāng)需要給陣列增加硬盤或者將陣列轉(zhuǎn)換到其他RAID級(jí)別，但不便將已有陣列刪除時(shí)，可以使用陣列在線遷移和陣列在線擴(kuò)容操作實(shí)現(xiàn)。
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注意：
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1、本操作對(duì)陣列及數(shù)據(jù)有較大風(fēng)險(xiǎn)，請(qǐng)謹(jǐn)慎考慮并備份數(shù)據(jù)后再行操作；
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2、需要陣列卡支持陣列在線擴(kuò)容和遷移及遷移后的RAID級(jí)別才可實(shí)施，亦需要符合相應(yīng)RAID配置規(guī)則。
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3、在擴(kuò)容和遷移操作開始后，將不能中止操作，且耗時(shí)較長(zhǎng)（取決于陣列容量及磁盤類型），請(qǐng)勿中途關(guān)機(jī)和斷電。
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本節(jié)介紹將一組RAID1陣列增加1個(gè)硬盤遷移為RAID5。
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在"Virtual Drive Management"中選擇需要進(jìn)行陣列擴(kuò)容、遷移操作的Virtual Drive。
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在"Operation"項(xiàng)目上按回車鍵，選擇"Reconfigure Virtual Drive"重新配置虛擬磁盤。
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在下一行出現(xiàn)的"Go"上按回車鍵繼續(xù)。
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在"Reconfigure Virtual Drive"界面中，"New RAID Level"項(xiàng)目上選擇RAID5，即遷移到RAID5。如果不改變RAID Level只增加硬盤，則保持原RAID Level不變。
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然后選"Choose the Operation"繼續(xù)進(jìn)行操作。
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在"Select Drivers"界面中選擇要加入的硬盤，與創(chuàng)建RAID時(shí)的類似。如果是SSD（固態(tài)硬盤）的話，也要將"Select Media Type"設(shè)置為"SSD"或者"Both"。
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選中需要加入的硬盤后，選"Apply Change"，之后會(huì)出現(xiàn)確認(rèn)提示，""確認(rèn)后，選"Yes"繼續(xù)。
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回到"Reconfigure Virtual Drive"界面，選擇"Start Operation"。
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再次出現(xiàn)確認(rèn)提示，""確認(rèn)后即會(huì)告知操作已經(jīng)開始執(zhí)行，選"OK"返回。
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此時(shí)會(huì)返回"Virtual Drive Management"界面，退回陣列配置主界面以刷新狀態(tài)，再進(jìn)入"Virtual Drive Management"會(huì)看到陣列已經(jīng)開始遷移，等待遷移過程完成即可。
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注意：遷移過程中可以使用陣列，但陣列性能會(huì)降低并會(huì)拖慢執(zhí)行進(jìn)度。
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十六、陣列卡固件刷新
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SAS RAID卡有多種刷新固件方式，本節(jié)介紹在HII中刷新的操作步驟。
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刷新微碼可以解決一些已知問題，當(dāng)陣列卡出錯(cuò)鎖定安全模式時(shí)可以嘗試刷新固件解鎖。
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注意：
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1、固件刷新操作具有一定風(fēng)險(xiǎn)，如無(wú)必要請(qǐng)勿任意刷新固件；
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2、固件刷新一般不會(huì)影響已有陣列及數(shù)據(jù)，但建議事先做好備份再行操作。
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陣列卡固件可以從聯(lián)想數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品支持網(wǎng)站上獲取：
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聯(lián)想（中國(guó)）數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品支持網(wǎng)站：http://support.lenovo.com.cn/EsWeb/
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聯(lián)想（全球）數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品支持網(wǎng)站：https://datacentersupport.lenovo.com/
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IBM下載中心：https://www-945.ibm.com/support/fixcentral
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注意：下載前請(qǐng)先查看說明文檔(.txt)及更新說明(.chg)，查看微碼適用范圍及注意事項(xiàng)。
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下載到固件包文件后，解壓縮固件包（.zip壓縮包和.exe執(zhí)行文件都可以直接解壓縮），并找出其中的.rom文件。
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注意：對(duì)于ServeRAID M5210等陣列卡，固件包中可能包含2個(gè).rom文件，請(qǐng)查看其中的"ctlr-info.txt"確定rom文件對(duì)應(yīng)關(guān)系。
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將.rom文件復(fù)制到已格式化為FAT32文件系統(tǒng)的U盤中，并建議給U盤設(shè)置一個(gè)較短的英文卷標(biāo)以便于識(shí)別。然后安全移除U盤，再插入服務(wù)器USB接口上。
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回到服務(wù)器，在"Dashboard"中進(jìn)入"Firmware Update"。
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注意：舊型號(hào)SAS RAID卡及舊版本固件"Firmware Update"在"Controller Management"中。
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然后在"Controller Firmware Update"界面的"Select File System"中選擇存放有.rom固件文件的U盤（卷標(biāo)）。
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注意：由于U盤兼容性問題，如果已確認(rèn)是FAT32文件系統(tǒng)但無(wú)法識(shí)別U盤，請(qǐng)嘗試更換其他型號(hào)U盤。
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陣列卡會(huì)自動(dòng)識(shí)別出固件文件，如果U盤中有多個(gè).rom文件，請(qǐng)手動(dòng)從"Select image"選取正確的文件。接著選擇"Update"并按回車。
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陣列卡會(huì)提示現(xiàn)有固件版本("Current firmware version")及新固件版本("Selected firmware version")，檢查無(wú)誤后""確認(rèn)，再選擇"Yes"，開始刷新固件。
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注意：
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1、固件可以升級(jí)或者降級(jí)。降級(jí)或者跨較大版本升級(jí)前，請(qǐng)先閱讀發(fā)行說明以確認(rèn)是否有限制條件；
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2、固件更新可能需要數(shù)分鐘時(shí)間，此期間不要強(qiáng)行中止操作、關(guān)機(jī)或者斷電，否則可能導(dǎo)致硬件損壞。
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刷新完成后會(huì)提示重啟服務(wù)器以使新固件生效。
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重啟服務(wù)器后，再進(jìn)入陣列卡配置界面，在"Controller Management"中即可看到陣列卡微碼已經(jīng)刷新。
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注意：陣列卡固件刷新后，一些功能和警示信息可能會(huì)有變化。
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總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的联想服务器在UEFI HII界面中配置阵列的基本操作的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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