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論文里面提出利用區域生長法獲取引腳的總數及各個引腳主體部分的形心坐標及面積。通過與實際引腳總數進行對比, 判斷是否存在引腳缺失的缺陷, 并和實際引腳的間距、面積的設定值進行對比, 當測定值超過設定值一定范圍時, 認為該芯片存在引腳位置偏移以及高度偏移等缺陷。
與作者不同之處在于我使用提取輪廓，構建掩膜圖像的方式獲取引腳的主體部分，其余部分均按照論文思路判別缺陷。
步驟：

圖像預處理；

提取輪廓，構建掩膜圖像，獲取引腳主體；

引腳分割為4個ROI，排序，獲取引腳質心；

通過引腳數目 ，面積，質心間距指標分別判別缺腳，高度偏移，位置偏移；

通過擬合4個ROI內引腳質心，獲取4線方程，從而獲取芯片中心坐標，即可獲得相對參考坐標的偏移量；

選擇上下兩線的斜率平均值，即可獲取芯片的旋轉量

void find(Mat &src, vector<vector<Point>>con_new) {int num = con_new.size();cout << "num = " << num << endl;//缺腳判斷vector<Moments>mu(con_new.size());vector<Point2f>mc(con_new.size());double area = 0;if (num == 12) {//偏移判斷for (int i = 0; i < con_new.size(); i++) {area = co

總結

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