?IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存（SRAM）芯片。

IS62WV51216特點：

①高速。具有45ns/55ns訪問速度。

②低功耗。操作時：36mW;待機時：12uW。

③兼容TTL電平。

④全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。

⑤三態(tài)輸出。

⑥字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。

圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；I/O0~15為數(shù)據(jù)線，總共16根數(shù)據(jù)線。CS2和CS1都是片選信號，不過CS2是高電平有效CS1是低電平有效；OE是輸出使能信號（讀信號）；WE為寫使能信號；UB和LB分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號；

IS62WV51216讀時序

重點時序： 讀周期時間(tRC) 、地址建立時間(tAA) 、OE建立時間(tDOE)?

我們開發(fā)板使用55ns的IS62WV51216，tRC=55ns tAA=55ns（Max），tDOE=25ns（Max）

IS62WV51216寫時序

?重點時序： 寫周期時間(tWC) 、地址建立時間(tSA) 、WE脈寬(tPWE)

開發(fā)板使用55ns的IS62WV51216，tWC=55ns tSA=0ns，tPWE=45ns（min）

FSMC介紹

?FSMC，即靈活的靜態(tài)存儲控制器，能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器。FSMC的框圖如下圖所示：

FSMC驅(qū)動外部SRAM時，外部SRAM的控制一般有：地址線（如A0~A25）、數(shù)據(jù)線（如D0~D15）、寫信號（WE，即WR）、讀信號（OE，即RD）、片選信號（CS），如果SRAM支持字節(jié)控制，那么還有UB/LB信號。 ? ? ?

而IS62WV51216的信號包括：I/O0~I/O15、A0~A18、OE、WE、CS、UB、LB等，我們將這些信號依次連接STM32 FSMC接口的D0~D15、A0~A18、OE、WE、CS、UB、LB等信號即可。?

STM32的FSMC支持8/16位數(shù)據(jù)寬度，我們這里用到的SRAM是16位寬度的，所以在設置的時候，選擇16位寬就OK了。FSMC的外部設備地址映像，STM32的FSMC將外部存儲器劃分為固定大小為256M字節(jié)的四個存儲塊

STM32的FSMC存儲塊1（Bank1）用于驅(qū)動NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分為4個區(qū)，每個區(qū)管理64M字節(jié)空間，每個區(qū)都有獨立的寄存器對所連接的存儲器進行配置。Bank1的256M字節(jié)空間由28根地址線（HADDR[27:0]）尋址。 ? ? 這里HADDR，是內(nèi)部AHB地址總線，其中，HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]對4個區(qū)進行尋址。如下表所示：

當Bank1接的是16位寬度存儲器的時候：HADDR[25:1]->FSMC_A[24:0]

當Bank1接的是8位寬度存儲器的時候：HADDR[25:0]->FSMC_A[25:0]

不論外部接8位/16位寬設備，FSMC_A[0]永遠接在外部設備地址A[0]?

STM32的FSMC存儲塊1 支持的異步突發(fā)訪問模式包括：模式1、模式A~D等多種時序模型，驅(qū)動SRAM時一般使用模式1或者模式 A，這里我們使用模式A來驅(qū)動SRAM

?對于NOR FLASH/PSRAM控制器(存儲塊1)，通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設置（其中x=1~4，對應4個區(qū)）。通過這3個寄存器，可以設置FSMC訪問外部存儲器的時序參數(shù)，拓寬了可選用的外部存儲器的速度范圍。

SRAM/NOR閃存片選控制寄存器（FSMC_BCRx）

EXTMOD：擴展模式使能位，控制是否允許讀寫不同的時序，設置為0

WREN：寫使能位。我們需要向SRAM寫數(shù)據(jù)，故該位必須設置為1

MWID[1:0]：存儲器數(shù)據(jù)總線寬度。00，表示8位數(shù)據(jù)模式；01表示16位數(shù)據(jù)模式；10和11保留。我們的SRAM是16位數(shù)據(jù)線，所以設置WMID[1:0]=01。

MTYP[1:0]：存儲器類型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。我們驅(qū)動的芯片為SRAM，所以需要設置MTYP[1:0]=00。

MBKEN：存儲塊使能位。需設置為1?。

SRAM/NOR閃存片選時序寄存器（FSMC_BTRx）

ACCMOD[1:0]：訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。 DATAST[7:0]：數(shù)據(jù)保持時間，等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。對IS62WV51216來說，其實就是OE/WE低電平持續(xù)時間，最大為55ns。對STM32F1，一個HCLK=13.8ns (1/72M)，設置為3；對STM32F4，一個HCLK=6ns(1/168M) ，設置為8。 ADDSET[3:0]：地址建立時間。表示：ADDSET (+1)個HCLK周期，ADDSET最大為15。對IS62WV51216來說，訪問周期最快位55ns，而我們前面的設置，已經(jīng)可以保證訪問周期不小于55ns，因此這個地址建立時間，我們可以直接設置為0即可。?

因為設置了EXTMOD位，所以讀寫時序共用這個時序寄存器！

寄存器組合說明

在ST官方庫提供的的寄存器定義里面，并沒有定義FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等這個單獨的寄存器，而是將他們進行了一些組合。規(guī)律如下： ?? ?

FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，組合成BTCR[8]寄存器組，他們的對應關(guān)系如下：

BTCR[0]對應FSMC_BCR1，BTCR[1]對應FSMC_BTR1

BTCR[2]對應FSMC_BCR2，BTCR[3]對應FSMC_BTR2

BTCR[4]對應FSMC_BCR3，BTCR[5]對應FSMC_BTR3

BTCR[6]對應FSMC_BCR4，BTCR[7]對應FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7]，他們的對應關(guān)系如下：

BWTR[0]對應FSMC_BWTR1，BWTR[2]對應FSMC_BWTR2，

BWTR[4]對應FSMC_BWTR3，BWTR[6]對應FSMC_BWTR4，

BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，沒有用到。

硬件連接

?代碼講解：

sram.c 文件：此部分代碼包含 3 個函數(shù)，FSMC_SRAM_Init 函數(shù)用于初始化，包括 FSMC 相關(guān) IO 口的 初始化以及 FSMC 配置；FSMC_SRAM_WriteBuffer 和 FSMC_SRAM_ReadBuffer 這兩個函數(shù)分 別用于在外部 SRAM 的指定地址寫入和讀取指定長度的數(shù)據(jù)（字節(jié)數(shù)）。 這里需要注意的是：FSMC 當位寬為 16 位的時候，HADDR 右移一位同地址對其，但是 ReadAddr 我們這里卻沒有加 2，而是加 1，是因為我們這里用的數(shù)據(jù)為寬是 8 位，通過 UB 和 LB 來控制高低字節(jié)位，所以地址在這里是可以只加 1 的。另外，因為我們使用的是 BANK1， 區(qū)域 3，所以外部 SRAM 的基址為：0x68000000。

main.c文件

u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//測試用數(shù)組 //外部內(nèi)存測試(最大支持1M字節(jié)內(nèi)存測試) void fsmc_sram_test(u16 x,u16 y) { u32 i=0; u8 temp=0; u8 sval=0; //在地址0讀到的數(shù)據(jù) LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"Ex Memory Test: 0KB"); //每隔4K字節(jié),寫入一個數(shù)據(jù),總共寫入256個數(shù)據(jù),剛好是1M字節(jié)for(i=0;i<1024*1024;i+=4096){FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);temp++;}//依次讀出之前寫入的數(shù)據(jù),進行校驗 for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) {FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);if(i==0)sval=temp;else if(temp<=sval)break;//后面讀出的數(shù)據(jù)一定要比第一次讀到的數(shù)據(jù)大. LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*4,4,16,0);//顯示內(nèi)存容量 } } int main(void) { u8 key; u8 i=0; u32 ts=0;NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//設置系統(tǒng)中斷優(yōu)先級分組2delay_init(168); //初始化延時函數(shù)uart_init(115200); //初始化串口波特率為115200LED_Init(); //初始化LEDLCD_Init(); //LCD初始化KEY_Init(); //按鍵初始化 FSMC_SRAM_Init(); //初始化外部SRAM POINT_COLOR=RED;//設置字體為紅色 LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Explorer STM32F4"); LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"SRAM TEST"); LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2014/5/14"); LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY0:Test Sram");LCD_ShowString(30,150,200,16,16,"KEY1:TEST Data");POINT_COLOR=BLUE;//設置字體為藍色 for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;//預存測試數(shù)據(jù) while(1){ key=KEY_Scan(0);//不支持連按 if(key==KEY0_PRES)fsmc_sram_test(60,170);//測試SRAM容量else if(key==KEY1_PRES)//打印預存測試數(shù)據(jù){for(ts=0;ts<250000;ts++)LCD_ShowxNum(60,190,testsram[ts],6,16,0);//顯示測試數(shù)據(jù) }else delay_ms(10); i++;if(i==20)//DS0閃爍.{i=0;LED0=!LED0;}} }

此段代碼，我們定義了一個超大數(shù)組 testsram，我們指定該數(shù)組定義在外部 sram 起始地址 （__attribute__((at(0X68000000)))），該數(shù)組用來測試外部 SRAM 數(shù)據(jù)的讀寫。注意該數(shù)組的定 義方法，是我們推薦的使用外部 SRAM 的方法。如果想用 MDK 自動分配，那么需要用到分散 加載還需要添加匯編的 FSMC 初始化代碼，相對來說比較麻煩。而且外部 SRAM 訪問速度又遠 不如內(nèi)部 SRAM，如果將一些需要快速訪問的 SRAM 定義到了外部 SRAM，將會嚴重拖慢程序 運行速度。而如果以我們推薦的方式來分配外部 SRAM，那么就可以控制 SRAM 的分配，可以 針對性的選擇放外部還是放內(nèi)部，有利于提高程序運行速度，使用起來也比較方便。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的外部 SRAM 实验的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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