SRAM和SDRAM的简单介绍
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參考：IS62WV51216ALL數(shù)據(jù)手冊(cè)?W9825G6KH數(shù)據(jù)手冊(cè)
1.SRAM
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。STM32內(nèi)部有SRAM和FLASH作為內(nèi)存和程序存儲(chǔ)空間，但當(dāng)程序比較大的時(shí)候就需要在芯片外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器，可以使用FSMC方式將SRAM外擴(kuò)作為內(nèi)存。
1.1芯片引腳說(shuō)明
| A0-A17 | Address Inputs | 地址線 |
| I/O0-I/O15 | Data Inputs/Outputs | 數(shù)據(jù)線 |
| CS1 | Chip Enable Input | 芯片使能 |
| OE# | Output Enable Input | 輸出使能（讀使能） |
| WE# | Write Enable Input | 寫使能 |
| LB# | Lower-byte Control (I/O0-I/O7) | 低八位使能 |
| UB# | Upper-byte Control (I/O8-I/O15) | 高八位使能 |
| NC | No Connection | 無(wú)效連接 |
| VDD | Power | 電源 |
| GND | Ground | 地 |
? ? 在SRAM 中，排成矩陣形式的存儲(chǔ)單元陣列的周圍是譯碼器和與外部信號(hào)的接口電路。存儲(chǔ)單元陣列通常採(cǎi)用正方形或矩陣的形式，以降低整個(gè)芯片面積并有利于數(shù)據(jù)的存取。以一個(gè)存儲(chǔ)容量為1MB位的SRAM為例，共需19條地址線來(lái)保證每個(gè)存儲(chǔ)單元都能被選中(2^19?=512K，每個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)是16位的)。IS62WV51216芯片是不需要列地址的。
1.2從Dout引腳讀取1bit數(shù)據(jù)須要下面的步驟：
1)通過(guò)地址總線把要讀取的bit的地址傳送到對(duì)應(yīng)的讀取地址引腳(這個(gè)時(shí)候/WE引腳應(yīng)該沒(méi)有激活，所以SRAM知道它不應(yīng)該運(yùn)行寫入操作)。
2)激活/CS選擇該SRAM芯片。
3)激活/OE引腳讓SRAM知道是讀取操作。
第三步之后，要讀取的數(shù)據(jù)就會(huì)從DOut引腳傳輸?shù)綌?shù)據(jù)總線。
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1.3從Dout引腳存儲(chǔ)1bit數(shù)據(jù)須要下面的步驟：
1)通過(guò)地址總線確定要寫入信息的位置(確定/OE引腳沒(méi)有被激活）。
2)通過(guò)數(shù)據(jù)總線將要寫入的傳輸數(shù)據(jù)到Dout引腳。
3)激活/CS引腳選擇SRAM芯片。
4)激活/WE引腳通知SRAM知道要進(jìn)行寫入操作。
經(jīng)過(guò)上面的四個(gè)步驟之后，須要寫入的數(shù)據(jù)就已經(jīng)放在了須要寫入的地方。
1.4SRAM時(shí)序說(shuō)明
讀時(shí)序
寫時(shí)序
2.SDRAM
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。
SDRAM的內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列，你可以把它想象成一張表格。我們?cè)谙蜻@個(gè)表格中寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候，需要先指定一個(gè)行（Row），再指定一個(gè)列（Column），就可以準(zhǔn)確地找到所需要的“單元格”，這就是SDRAM尋址的基本原理。
SDRAM總存儲(chǔ)容量 = L-Bank的數(shù)量×行數(shù)×列數(shù)×存儲(chǔ)單元的容量
W9825G6KH這一款SDRAM的內(nèi)存 = 4×2^13×2^9×16 =?= 256Mbit，即32MB。
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| 時(shí)鐘 | CKE | 時(shí)鐘有效信號(hào) |
| CLK | 時(shí)鐘信號(hào) | |
| 地址線 | A0-A12 | 行地址13位，列地址9位 |
| BA0,BA1 | Bank選擇，共有4個(gè)Bank | |
| 數(shù)據(jù)線 | I/O0 - I/O15 | 數(shù)據(jù)傳輸 |
| 控制命令 | CS# | 芯片選擇 |
| WE# | 寫使能（低電平寫，高電平讀） | |
| RAS# | 行地址選通 | |
| CAS# | 列地址選通 |
| 初始化 | 輸入穩(wěn)定期 |
| 所有L-Bank預(yù)充電 | |
| 8個(gè)刷新周期 | |
| 模式寄存器設(shè)置 |
| 讀寫 | 行激活 |
| 列讀寫 | |
| 預(yù)充電 | |
| 刷新 |
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模式寄存器在默認(rèn)開機(jī)狀態(tài)未指定。需要遵循以下電源啟動(dòng)和初始化順序，以確保設(shè)備預(yù)先適應(yīng)每個(gè)用戶的特定需求。
在通電期間，當(dāng)輸入信號(hào)處于“NOP”狀態(tài)時(shí)，所有VDD和VDDQ引腳必須同時(shí)升高到指定的電壓。任何輸入引腳或VDD電源電壓不能超過(guò)VDD + 0.3V。啟動(dòng)后,需要一個(gè)200us的輸入穩(wěn)定器，后跟一個(gè)預(yù)充電指令給所有Bank預(yù)充電。為了防止在電源啟動(dòng)期間DQ總線上的數(shù)據(jù)爭(zhēng)用，需要在初始暫停期間將DQM和CKE引腳保持高位。一旦所有的Bank都已預(yù)充，須發(fā)出模式寄存器設(shè)置命令來(lái)初始化模式寄存器（MR，Mode Register）。在對(duì)模式寄存器進(jìn)行編程之前或之后，還需要另外8個(gè)自動(dòng)刷新周期(CBR)，以確保正確的后續(xù)操作。
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總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的SRAM和SDRAM的简单介绍的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。
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