电桥 应变片 误差来源及改进 思考题
金屬箔式應(yīng)變片實(shí)驗(yàn)思考題:
Q.1 三種橋式電路的測(cè)量靈敏度之間的關(guān)系
1.全橋的靈敏度是四分之一橋的4倍,半橋的靈敏度是四分之一橋的兩倍
四分之一橋的輸出電壓為UO≈14VsGeU_O \approx \frac{1}{4} V_s GeUO?≈41?Vs?Ge
Ge=ΔRRGe = \frac{\Delta R}{R}Ge=RΔR?
Q.2 實(shí)驗(yàn)可能存在的誤差
電橋測(cè)量原理上存在非線性。如1/4電橋的輸出電壓(Z1為變化電阻),如圖4-1所示。
從理論上分析應(yīng)為
UO=(R1+ΔR1R1+ΔR1+R4?R2R2+R3)VsU_O = \left( \frac{R_1 + \Delta R_1}{R_1 + \Delta R_1+R_4}-\frac{R_2}{R_2+R_3}\right) V_s UO?=(R1?+ΔR1?+R4?R1?+ΔR1???R2?+R3?R2??)Vs?
只有當(dāng)R1?初始=R2=R3=R4R_{1-初始}=R_2=R_3=R_4R1?初始?=R2?=R3?=R4?,且ΔRR=ΔR1R1?1\frac{\Delta R}{R}=\frac{\Delta R_1}{R_1}\ll1RΔR?=R1?ΔR1???1,ΔRR=Ge\frac{\Delta R}{R}=GeRΔR?=Ge時(shí),
UO≈14VsGeU_O \approx \frac{1}{4}V_s Ge UO?≈41?Vs?Ge
- 應(yīng)變片應(yīng)變效應(yīng)實(shí)際上是非線性的。只有當(dāng)應(yīng)變?cè)诤苄〕叨葧r(shí),才能用線性關(guān)系去近似應(yīng)變片的應(yīng)變效應(yīng)。
- 調(diào)零不是真正為零。實(shí)驗(yàn)儀器如電阻的標(biāo)稱(chēng)值和真實(shí)值之間存在一定的偏差。
- 實(shí)驗(yàn)導(dǎo)線可能陳舊或老化,產(chǎn)生線間電容效應(yīng),讀數(shù)可能出現(xiàn)跳變情況。調(diào)零或是讀數(shù)時(shí)可能沒(méi)有等示數(shù)穩(wěn)定后讀數(shù)
- 無(wú)線數(shù)據(jù)交換的電子設(shè)備可能作為干擾信號(hào)影響差動(dòng)放大器。
改進(jìn)措施:
- 實(shí)驗(yàn)選擇電阻和應(yīng)變的變化范圍時(shí),應(yīng)使應(yīng)變?cè)谳^小的范圍內(nèi)變化,并使ΔRR?1\frac{\Delta R}{R} \ll 1RΔR??1
- 實(shí)驗(yàn)讀數(shù)時(shí)應(yīng)盡可能在示數(shù)穩(wěn)定后讀數(shù),在調(diào)零操作后續(xù)的實(shí)驗(yàn)步驟中,不要旋動(dòng)調(diào)零旋鈕等。
- 實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,將實(shí)驗(yàn)設(shè)備模塊遠(yuǎn)離有無(wú)線數(shù)據(jù)交換的設(shè)備。
- 更換實(shí)驗(yàn)所用導(dǎo)線,并且在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中盡量不要接觸實(shí)驗(yàn)線。
- 實(shí)驗(yàn)測(cè)量記錄時(shí),應(yīng)向一個(gè)方向增加(或減少)應(yīng)變,減少反復(fù)向兩個(gè)方向變化應(yīng)變時(shí),應(yīng)變片應(yīng)變的誤差
參考:傳感與測(cè)試技術(shù)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)
總結(jié)
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