光模塊中的激光器，電泵浦半導體激光器，

二極管，是一個PN結，

半導體激光器，是p型半導體和n型半導體之間插入有源層，形成一個PIN型結構，有時候咱們把半導體激光器，叫做激光二極管

咱經常看到的激光器簡寫LD，就是laser diode，激光二極管，?Y5T292 三期中的縮略語

因為光模塊中的激光器，通常用電泵浦，這就需要有正負電極

我今天看書，希望解決的疑問有兩個，

第一個疑問：金屬和半導體接觸，用于激光器的這種接觸，與肖特基二極管的那種接觸有什么不同，(Y2T151 ?肖特基二極管)

得到的答案：

用于激光的金屬/半導體接觸，希望電流順利通過

用于肖特基二極管的金屬/半導體接觸，希望有更強烈的PN結效果，一個方向能通過，另一個方向能截止。

所以，金屬和半導體之間的接觸面要做特別的設計。(引出新的疑問，金屬和半導體之間發生了什么？)

第二個疑問：為什么激光器正負電極用的金屬材料不一樣？，導致他們需要不同的金屬鍍膜工藝。

得到的答案是，金屬和P型半導體的接觸，與金屬與N型半導體接觸，二者的勢壘不同。

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導體、半導體、半絕緣體、絕緣體的區別，主要是他們的電阻率不同

金屬，是導體，里邊有可以自由流動的電子，俗稱自由電子，它們在電場的作用下，能形成很好的電流，電流越通暢的，電阻率越低

電子，帶有負電荷

絕緣體，是輕易形不成電流的物體。

半導體，是能形成電流，只是這個電流形成的不太通順，電阻率有點高

N型半導體，是有一些自由電子，有了外加電場就能讓電荷移動。

P型半導體，是有一些空穴，有了外加電場也可以讓電子在空穴方向上移動，空穴不斷的交換位置，看起來就像空穴在移動

金屬：里邊都是自由電子

N型半導體：里邊有一些自由電子，一丁點的空穴

P型半導體：里邊有一些空穴，和一丁點的自由電子

先說金屬和N型半導體，沒接觸前，各是各的

接觸后，

對電子來說，有濃度差，自由電子們要從高濃度到低濃度，這是擴散

對空穴來說，也有濃度差

在金屬和N型半導體之間，就形成一個勢壘，對肖特基二極管來說，希望勢壘越大越好，而對于咱們只是用來做電極的半導體激光器來說，這個勢壘就越小越好。不要把電壓浪費在這個界面上

要降低界面電阻，電極用Au-Ge合金的話，再加一層Ni的金屬層，可以提高與半導體的浸潤性，提高結合力度，二者分子充分接觸，就降低了接觸電阻

再者，在N型半導體之上，做一層重摻雜的N++層，讓里邊的自由電子數量更多，也就是電子濃度差異很小，擴散的勁兒就不大，也降低了界面電阻

金屬和N型半導體的歐姆接觸，相對來說好做。

但和P型半導體，就難一些，因為P型半導體中空穴多

金屬和P型半導體之間的正負電荷的濃度差都變大了，他們界面形成的勢壘，和金屬/N型半導體來說，更大

所以激光器的正電極和負電極相比，更難做，

負電極可以用點低成本工藝來做，正電極就得用比較復雜的工藝，力求降低接觸電阻，還不引起可靠性問題。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的如何形成欧姆接触_Y5T307 半导体激光器欧姆接触，以及欧姆接触与肖特基接触的区别...的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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