在存儲芯片領域，DRAM 內存及 NAND 閃存的國產率都基本是0，技術及產能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、東芝等公司手中，尤其是高價值的 DRAM 內存芯片，三星、SK Hynix 及美光三家公司占了全球 95% 的份額。

　　國內的 DRAM 內存芯片布局主要有合肥長鑫/兆易創新的內存芯片項目，福建晉華與臺聯電合作的內存項目由于被美國制裁而陷入了困境。除了 DRAM 芯片，國內還是一些公司主攻內存接口芯片，前不久宣布津逮系列國產 X86 處理器的杭州瀾起科技就是其中之一，該公司正在申請國內的科創板上市，日前在招股書中披露了他們在 DDR 內存芯片上的技術進展及布局。

　　瀾起科技成立于 2004 年，是全球內存接口芯片的主要供應商之一，憑借領先的技術水平，在 DDR4 階段逐步確立了行業領先優勢，公司 2018 年營業收入 175,766.46 萬元，凈利潤 73,687.84 萬元。

　　瀾起科技發明了 DDR4 全緩沖“1+9”架構，最終被 JEDEC 國際標準采納。公司憑借具有自主知識產權的高速、低功耗技術，為新一代服務器平臺提供完全符合 JEDEC 標準的高性能內存接口解決方案，同時正積極參與 DDR5 JEDEC 標準的制定，是全球可提供從 DDR2 到 DDR4 內存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應商之一，在該領域擁有重要話語權。

　　目前，公司根據內存模組制造商的研發進度，積極布局研發 DDR5 存接口芯片，新一代產品能夠有效支持 DDR5 的高速、低功耗等要求。

　　根據瀾起科技的公告，在內存接口芯片業務領域，為鞏固公司的市場領先地位，瀾起在未來三年完成第一代 DDR5 內存接口芯片的研發和產業化。

總結

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