中國每年進口的集成電路超過 3000 億美元，其中存儲芯片占了大約1/3 的份額，但 DRAM 內存及 NAND 閃存目前尚無國產廠商染指，國產率基本為0，其中高價值的內存幾乎壟斷在三星、SK Hynix 及美光三家公司中。

　　Digitimes 報道稱，合肥長鑫（ChangXin Memory Technologies，簡稱 CXMT）公司計劃在今年底量產首款內存芯片，是 8Gb LPDDR4 顆粒，預計 Q4 季度產能約為 2 萬片晶圓/月，不過產能最終會擴大到 12.5 萬片晶圓/月。

　　根據長鑫之前的公告，其首批 8Gb LPDDR4 內存應該是 19nm 工藝的，預計在 2020 年建設第二座晶圓廠，將使用 20nm 以下的工藝生產內存，該公司計劃在 2021 年量產 17nm 工藝的內存芯片。

　　此外，國內研發 DRAM 內存的另一家公司福建晉華 JHICC 被美國制裁，業務幾乎停擺，長鑫公司也擔心被美國盯上，促使他們在研發過程中非常注重知識產權。

　　從長鑫公司之前公布的消息來看，他們的內存技術主要源于破產的奇夢達公司，將一千多萬份有關 DRAM 的技術文件及 2.8TB 數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過 15000 片。

總結

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