在進入20nm節點之后，內存工業也面臨著CPU工藝一樣的制造難題，微縮越來越困難，制造工藝復雜，導致內存成本居高不下。如今7nm以下的處理器用上了EUV光刻機，內存很快也要跟進了，SK海力士計劃在韓國M16工廠引入EUV工藝。

與目前大量在用的DUV光刻相比，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產時間、降低成本，并提高性能。

內存用上EUV工藝之后，內存顆粒的制造成本理論上是會下降的，這也為內存降價奠定基礎，不過EUV初期來說就很難了，因為EUV光刻機售價將近10億元人民幣，新建EUV產線的成本是非常高的，需要時間消化。

據韓國媒體報道，SK海力士已經成立了專門的研究小組攻克EUV工藝，從去年就開始投資EUV中可能用到的TF材料，相關研究由副總裁鄭泰佑負責，他是蝕刻技術的專家，曾參與SK海力士首個10nm DRAM“Arius”的開發項目以及下一代NAND閃存的研發。

SK海力士也在推進建設EUV DRAM內存生產線的建設，預計在韓國利川市的M16工廠中開始引入。

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總結

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