有消息稱，因為經(jīng)費不足等原因，深圳第三代半導(dǎo)體研究院決定解散。

網(wǎng)上流傳出一份疑似深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)布的《解散通告》，其中稱該研究院決定自2021年8月31日起全面停止經(jīng)營。

按照官方說法，該研究院面向2030國家第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略需求，圍繞建設(shè)世界科技強國的戰(zhàn)略目標，依托第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟，通過資源整合、優(yōu)勢互補、錯位發(fā)展，創(chuàng)新體制機制打造的開放式、國際化、全鏈條的第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新平臺。

研究院立足深圳、覆蓋粵港澳大灣區(qū)、面向全國，力爭成為國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，推動中國第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行列。

截至目前，深圳市第三代半導(dǎo)體研究院官方渠道還沒有任何消息公布，官網(wǎng)也能正常打開。

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺（Ge）元素半導(dǎo)體，是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽能電池的最基礎(chǔ)材料。

第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導(dǎo)體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、磷砷化鎵（GaAsP）等。

還有一些固溶體半導(dǎo)體材料，如鍺硅（Ge-Si）、砷化鎵-磷化鎵（GaAs-GaP）等；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體）材料，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體等；有機半導(dǎo)體材料，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

它們主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。

它們具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度、更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

從目前第三代半導(dǎo)體材料及器件的研究來看，較為成熟的第三代半導(dǎo)體材料是SiC、GaN，而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導(dǎo)體材料的研究尚屬起步階段。

當前我國發(fā)展第三代半導(dǎo)體及其器件的最大瓶頸是原材料。我國 SiC 和 GaN 材料的制備與質(zhì)量等問題亟待破解。

目前我國對 SiC 材料制備的設(shè)備尚為空缺，大多數(shù)設(shè)備還依賴進口。國內(nèi)開展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比較晚，與國外相比水平還較低，缺少原始創(chuàng)新的專利。

因此，發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料和器件的步伐有待加速。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的经费不足？深圳第三代半导体研究院被曝解散的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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